单晶硅拉晶过程视频

屠封龚5232单晶炉中单晶硅棒时如何生长的? -
潘哪友15216485163 ______ 首先,把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚,通过石墨加热器产生的高温将其熔化;然后,对熔化的硅液稍做降温,使之产生一定的过冷度,再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上...

屠封龚5232直拉法单晶生长的特点是什么? -
潘哪友15216485163 ______ 直拉单晶硅:将多晶硅料放在坩埚中,加热后将融融态硅提拉出来. 制备方法:将高纯多晶硅放入高纯石英坩埚中,在硅单晶炉内熔化;然后用一根固定在籽晶轴上的籽晶插入溶体表面,待籽晶与熔体熔合后,慢慢向上拉籽晶,晶体便在籽晶下端生长. 特点:CZ法较容易及较低成本增加晶圆的尺寸,以吻合微电子元件制造业要求大尺寸、高纯度、高生产率的趋向.含氧量高.

屠封龚5232直拉单晶硅工艺过程中拆清炉的目的是什么?它的下一道工序是什么? -
潘哪友15216485163 ______ 直拉单晶硅生产过程中的拆炉流程是在收尾完成后停炉6个小时左右的时间进行的,正常情况下是取出晶体,对炉内的挥发物进行清除,并用酒精擦洗.检查热场(石墨托碗、加热器、电极等)是否正常,并根据生产炉次对机械真空泵进行清洗换油.然后进入下一炉的生产流程:装料---抽真空----化料----拉制----停炉---拆炉

屠封龚5232太阳能光伏中单晶的加工过程 -
潘哪友15216485163 ______ 流程:清炉-装料-抽空-化料-引晶-放肩-等径-收尾-冷却

屠封龚5232什么是晶变呢?
潘哪友15216485163 ______ 拉晶时,预定拉N型单晶硅,可拉出来的硅棒一部分是N型单晶硅,另一部分是P型单晶硅,或根本就不是单晶硅,而是多晶硅,这种现象称为晶变.通常拉晶时间过长,容易出现晶变现象,开始拉出的是N型单晶硅,可以后变成P型单晶硅.之所以如此,一种原因是N型杂质的挥发;另一种原因是P型杂质溶于多晶硅中,如石英坩埚中的硼.这种现象在真空下拉晶时尤其容易产生.

屠封龚5232单晶硅的滑移线是怎么产生的 -
潘哪友15216485163 ______ 滑移线根本原因是单晶硅内部的应力超出了晶格的承受能力(屈服强度),导致晶格变形,因变形的差异,宏观上体现为位错,层错,滑移线等.应力分为机械应力和热应力,热应力引起的滑移线是拉晶过程中产生的,一般称作单晶滑移线,往往是拉晶收尾段没收好,温度下降过快,导致晶棒尾部晶格错位,进而产生滑移线.机械应力引起的滑移线,往往是硅片加工中倒角面损伤引起的.因为倒角面损伤会引发外延后的滑移线,又称作外延滑移线.热应力造成的滑移线一般的预防措施是改善热场分布,改善拉速,控制温度曲线等.机械应力引发的外延滑移线一般预防措施是提高倒角面的加工水平,不出伤痕.

屠封龚5232关于硅片制作的过程 -
潘哪友15216485163 ______ 硅片的等级: MG-Si → SeG-Si → SoG-Si 提炼要经过一下过程: 石英砂→冶金级硅→提炼和精炼→沉积多晶硅锭→单晶硅→硅片切割. 冶金级硅MG-Si 提炼硅的原始材料是SiO2,主要是砂成分,目前采用SiO2的结晶岩即石灰岩,在大型的电...

屠封龚5232硅片的制备 -
潘哪友15216485163 ______ 单晶硅的制备先是拉单晶,硅单晶棒有直拉法(CZ法)和区熔法两种 硅单晶棒制备好后再经过滚磨、切割、研磨、倒角、化学腐蚀、抛光,以及几何尺寸和表面质量检测等工序完成单晶硅片的生产

屠封龚5232▇█▉熟悉单晶硅、单晶硅的请进! -
潘哪友15216485163 ______ 多晶硅的生产工艺主要由高纯石英(经高温焦碳还原)→工业硅(酸洗)→硅粉(加HCL)→SiHCL3(经过粗馏精馏)→高纯SiHCL3(和H2反应CVD工艺)→高纯多晶硅 国内的多晶硅单价主要看纯度,纯度在9个9的很少,价格应该在2500以上了!详细价格不定, 单晶硅生产工艺主要有两种,一种是直拉法,一种是区熔法.工艺的介绍也可以在网上找得到. 操作工高中或中专就可以.一般不要特殊的技能. 操作工有2000左右的,工资还可以