孪晶界和孪晶面
金融界2023年11月22日消息，据国家知识产权局公告，九江德福科技股份有限公司申请一项名为“一种直流电沉积纳米孪晶铜箔用的添加剂及其制备方法“，公开号CN117089899A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，本发明涉及一种直流电沉积纳米孪晶铜箔用的添加剂及其制备方法，该方法为电解铜箔技术领域，上述直流电沉积纳米孪晶铜箔用添加剂包括按质量份数计的下列组分：聚丙二醇100‑200份、聚‑4‑乙烯吡啶1‑10份、含氮类高分子化合物1‑10份、明胶1‑20份和含硫杂环化合物50‑150份；其采用电沉积工艺，包括电解直流电沉积工艺，通过本发明在直流条件下通过改变添加剂来控制晶粒尺寸和孪晶产生，为利用纳米尺度的孪晶结构材料同时实现高强度和高延伸性创造了工业生产高性能铜箔的基础。
本文源自金融界
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