普通晶闸管的三个电极

金融界2024年2月5日消息，据国家知识产权局公告，江苏捷捷微电子股份有限公司取得一项名为“高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片和制造方法“，授权公告号CN110061052B，申请日期为2019年4月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片，包括阳极电极A、背面P型短基区、P型对通隔离环、门极电极G、N‑型长基区、正面P型短基区、N+型发射区、阴极电极K、隔离钝化槽和设置在正面的氧化膜。制造方法：生长氧化层、光刻对通隔离环、离子注入铝、对通隔离环扩散、双面P型短基区扩散、正面光刻发射区、N+发射区磷扩散、光刻隔离钝化槽及腐蚀、Sipos+Gpp钝化保护、光刻引线、双面蒸发电极、双面光刻反刻、真空合金、芯片测试、划片分离。本发明满足VDRM＞2200V，实现极高的正向阻断电压。

本文源自金融界

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