海威华芯光刻机中标

徒陆詹3563光刻机中国能造吗?
甫昨世18960522164 ______ 暂时不能光刻机不是一项单一的技术,而是现代各项高科技技术的集成,成品背后需要无数的产业链支持,以中国现在的科技水平暂时还不能造出.当中国专家去荷兰阿斯...

徒陆詹3563黄光室温度和湿度应该多少为宜呀? -
甫昨世18960522164 ______ 23+-2度,湿度45+-5,湿度不稳定会影响光刻胶,温湿度不稳定会影响光刻机.

徒陆詹3563光刻作用? -
甫昨世18960522164 ______ 简单的讲,就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来.利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的wafer曝光,光刻胶见光后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到wafer上. 这就是光刻的作用,类似照相机照相.

徒陆詹3563想知道一些基本知识,如CPU AMD2300中2300代表什么,后面的+号代表什么,什么是单核与双核,有什么区别等 -
甫昨世18960522164 ______ AMD2300+,其中的2300+指的是执行效率相当与英特尔奔腾4 主频2.3G的的执行效率,加号代表的是超过2.3G,单核就是cpu的内部硅片上用光刻机刻录了一个执行核心,双核是指就是就是cpu的内部硅片上用光刻机刻录了两个执行核心.

徒陆詹3563光刻机极紫光是怎么产生的
甫昨世18960522164 ______ 光刻机极紫外光是通过准分子激光轰击锡滴产生的.EUV光刻机的极紫外光指的是13.5纳米波长的极紫外光,这是光刻机核心部件之一.将锡加热到极高的温度,原子就会分解成自由电子和带电荷不同的正电离子.这些离子中的许多离子都处于激发状态.其中一个或多个轨道上的电子有一部分额外的能量.这些电子在离原子核较近的轨道上绕着比最近的轨道更远的轨道旋转.当它们返回到离原子核更近的轨道上时,这部分额外的能量就会以EUV辐射的形式释放出来,这些EUV辐射就是13.5纳米波长的极紫外光.

徒陆詹3563光刻过程中正面曝光和背面曝光的区别 -
甫昨世18960522164 ______ 最主要的区别就是正胶经曝光显影后可溶与显影液; 负胶经曝光显影后不溶与显影液同样一块mask, 正胶和负胶曝光显影后图形是相反的

徒陆詹3563前道工艺的英文怎么说比如说光刻相对于封装测试来说是前道工艺,这个前道工艺怎么说啊,英文. -
甫昨世18960522164 ______[答案] Last process 或者 pre-process就可以,上一个步骤.

徒陆詹3563“光刻栅长”与“物理栅长”的区别是什么? -
甫昨世18960522164 ______ 对于补充问题:首先来说cmos工艺中出现这个光刻栅长也是对应于cmos制作中在光刻步骤中由于无论是用电子束光刻,还是深紫外光刻,都会发生衍射的问题演化出来的.所以光刻出来的栅长要不实际的大.而物理栅长应该是指参数所要求的栅长.这涉及到半导体制造工艺.你要是搞cmos的应该知道阿.物理栅长是光栅孔径的绝对长度.光刻栅长,无论是用电子束光刻,还是深紫外光刻,都会发生衍射,相当于光栅实际长度根物理长度不等.只有使用x射线效果最好,那是LIGA工艺了