硅片加工工艺

金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，浙江海纳半导体股份有限公司申请一项名为“一种超薄氧化硅片及其加工工艺“，公开号CN117542725A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体硅片生产制造技术领域，具体地说，涉及一种超薄氧化硅片及其加工工艺。该超薄氧化硅片由硅片经抛光、氧化加工制成，包括超薄硅片衬底和覆盖于超薄硅片衬底表面的表面氧化膜。其加工工艺包括衬底减薄、抛光、氧化、清洗。该超薄氧化硅片不仅具有较小的总厚度而且具有较大的湿法氧化膜厚度，较小的厚度可以减小使用时的封装体积、增加其柔韧性、提供较大的形变，而较大的湿法氧化膜厚度又增加了其封闭特性以及在光学方面表现出的特异性能。

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