cv曲线原理
概述
电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。
系统方案
半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在 0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。
进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz 之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。
系统优势
频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调；高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%；
内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容- 电压），C-T（电容- 时间），C-F（电容 -频率）等多项测试测试功能;
兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试；
实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控；
扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配；
LCR | ||||
| 测试频率 | 10Hz-1MHz | |||
| 频率输出精确度 | ±0.01% | |||
| 基本准确度 | ±0.05% | |||
| AC测试信号准位 | 10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度) | |||
| DC测试信号准位 | 10mV至2V (1m Vrms 解析度) | |||
| 输出阻抗 | 100Ω | |||
| 量测范围 | |Z|, R, X | 0.001mΩ–99.999MΩ | |Y|, G, B | 0.1nS–99.999S |
| Cs、Cp | 0.01pF – 9.9999F | Ls Lp | 0.1nH–9.999kH | |
| D | 0.00001-9.9999 | Q | 0.1-9999.9 | |
| DCR | 0.001mΩ–9.999MΩ | Δ% | -9999%-999% | |
| θ | -180° -+180° |
|
| |
| SMU | ||||
| VGS范围 | 0 - ±30V(选配) | |||
| IGSS/IGES | ≥10pA(选配) | |||
| VDS范围 | 0 - ±300V | 0 - ±1200V | 0 - ±2200V | 0 - ±3500V |
| IDSS/ICES | ≥10pA | ≥1nA | ||
| 源测精度 | 0.03% | 0.1% | ||
| 功能 | ||||
| 测试方式 | 点测、图形扫描 | |||
| 测试参数 | DIODE:CJ、IR、VR MOSFET:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS IGBT:Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES | |||
| 接口 | RS232、LAN | |||
| 编程协议 | SCPI、LabView |
软件界面及功能
CV测试界面
CV曲线图
典型配置
| 源表 | VGS/VGE | 选配，S100/P100 |
| VDS/VCE | 标配S300，可选P300/E100/E200/E300 | |
| LCR表 | 标配10Hz~1MHz频率，可选5MHz/10MHz | |
| 矩阵开关 |
| |
| 上位机软件 |
| |
| 其他 | 三同轴电缆、LAN线 |
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