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管弯溥1405半导体中的STI是什么意思 -
侯发钢15118299001 ______ shallow trench isolation 浅沟道隔离 特点: 能实现高密度的隔离,适合于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路. 一般在器件制作之前进行,热预算小. STI技术工艺步骤:首先,类似LOCOS,依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶,光刻去掉场区的SiO2和Si3N4.其次,利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽.然后,进行场区注入,再用CVD淀积SiO2填充沟槽.最后,用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层,使硅片表面平整化. 工艺复杂,需要回刻或者CMP

管弯溥14051、简要叙述光刻工艺的流程及每一步的作用 - 上学吧普法考试
侯发钢15118299001 ______ 区别主要在前端吧:0.18用了STI,0.35的话可以用local的方法进行隔离;0.18用CO做SAB,0.35的好像是用的TI;0.18的GATE生长好像是不用DOPE的,在后续S/D的时...

管弯溥1405steal怎么发音 -
侯发钢15118299001 ______ steal 英[sti:l] 美[stil] vt. 偷;悄悄地做,悄悄地走;潜行;不正当的获得 vi. 偷;偷偷地行动:秘密、不显明地行动、发生或消失;[棒球]偷垒 n. 偷窃;便宜货;便宜货 [例句]Competitors anywhere in the world can steal ideas. 世界任何地方的竞争对手都可以窃取这些创新.

管弯溥1405steal怎么读 -
侯发钢15118299001 ______ steal 主义为偷窃 steal...from