gan+hemt
金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种带有栅极终端延伸结构的GaN基HEMT器件及其制备方法“，公开号CN117790557A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种带有栅极终端延伸结构的GaN基HEMT器件及其制备方法，通过在器件栅极靠近漏极一侧引入栅极p‑GaN帽层终端延伸结构，优化器件关断状态下的栅极电场分布，从而提高了GaN基HEMT的击穿电压并且抑制了电流崩塌效应。借助仿真验证，引入栅极p‑GaN帽层终端延伸结构后，器件的关态电场分布得到了改善，关态电场的峰值下降了超过70％。
本文源自金融界
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邴松雷18096725494 ______ 干涸 希望我的回答对您有帮助,有问题可以追问.满意请及时采纳,谢谢!
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