二极管压降公式
之前VBsemi小编发过一期视频，讲的是实现双电源自动切换电路，其中利用了三个MOS管进行的电路设计。
然而，最近小编看到了另外两种主副电源自动切换的电路设计，觉得很有实用价值，分享给大家。
一、
我们主要围绕下面这个电路图展开：
VUSB：为外部USB供电
VBAT：为锂电池供电
Q1：PMOS
D1：二极管
电路工作设计：
1、外部电源供电时，锂电池的供电关断
2、外部供电断开时，由锂电池供电
当VUSB进行供电时（5V），PMOS的G端：为5V，此时PMOS不导通，电压经过二极管D1直接到达VCC。如下图：
当VUSB断开后，PMOS的G端的电压（5V）由电阻R1下拉到GND，此时PMOS导通，VCC由VBAT（为锂电池）供电。如下图：
在这里加以说明：在MOS管还未导通之前，S端的电压比G端的要高，因此MOS管会导通，导通以后MOS管的寄生二极管会短路，并不再起作用。
二、0压降实现主副电源自动切换
前面的电路加了D1二极管，是很难实现0压降，因为D1的压降最小也需要0.3V。
我们来看下面这个电路，相较于前面的电路，它利用了MOS管的低导通RDS（on）特性，提高了电路的效率。
这里利用了3个MOS管作为电路设计：
1.
当VIN1（主电源）为3.3V时，Q1的NMOS导通，接着拉低了Q3 PMOS的栅极， Q3 开始导通。
此时Q2 MOS的G-S之间的电压等于Q3 PMOS的导通压降，大概为几十mV。因此Q2 MOS管关闭，VIN2（外部电源）断开，VOUT由VIN1进行供电，此时VOUT=3.3V。
此时电路的静态功耗I1+I2 = 20uA
当VIN1（主电源）断开，Q1 NMOS截止，Q2 PMOS的栅极通过R1下拉，Q2导通；Q3 PMOS的栅极通过R2上拉，Q3截止。
此时Q1和Q3截止，VOUT由VIN2供电，为3.3V，“电路的静态功耗I1+I2 = 20uA
”不存在了。
讲到这里我们可以看到，当电路由VIN2（外部电源）供电时，静态功耗“消失了”直接为0。整个电路几乎不存在压降，除非电流很大。
可以得出在这个电路中，外部电源供电是更好的选择。
有个条件：电路中的三个MOS管都应该具备低导通电阻与低压的特性。
不过，也有网友反应，这个电路在主电源下降过程中，可能会存在一些问题：Q3未完全关断而Q2就开始导通，外电源通过Q2、Q3形成通路，阻止了主电源的降低。
具体情况还需要在实际应用中得以反应。如果您有更好的意见与疑问，欢迎评论区留言！
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（声明：以上部分图片与资料来源于网络）
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