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低导通内阻mos

来源:baiyundou.net   日期:2024-09-22

近期微碧经常听到有伙伴说:

“为什么我的MOS管会发热,明明我的电流并不大啊?”

MOS管发热问题是MOS管应用时常见的问题,那么今天微碧就来简单的带大家了解MOS管发热问题以及如何应对这样的情况

我们先来了解MOS工作发热的基本情况。

在MOS管中有几个重要的参数:导通阻抗RDS(ON),栅极/驱动电压 VGS 以及流经开关的电流漏源极电流ID.

其中。导通阻抗RDS(ON)

与栅极(或驱动) 电压VGS 以及流经开关的电流有关

在充分的栅极驱动的情况下,RDS(ON)是一个相对静态参数。MOS管在持续的导通情况下容易产生热量,导致发热,由此慢慢升高的结温使RDS(ON)也逐渐增加,此时功率管的损耗也跟着增加,导致MOS管的发热发烫。

总结下来,MOS管发热大致可以分为以下几个因素:

  1. 电路设计问题

MOS管工作主要在于线性的工作状态,而不是在开关状态,MOS管导通过程时间过长会导致发热

2.MOS管驱动频率太高,频率与导通损耗就会成正比。因此在发热时,可以看看频率选择的是否过高。此外,过分追求体积,也会导致频率提高,MOS管上的损耗增大。

3.如果没有做足够好的散热设计,通过漏极和源极的导通电流ID就会过大,不过,ID小于最大电流,也可能发热严重,因此需要足够的辅助散热片来帮助MOS管很好的散热。

4.MOS管的选型时关键,我们在前面提到了RDS(ON)这个关键参数,它的变化是导致发热的主要原因。因此选择低导通电阻的MOS管是至关重要的,不过这里需要注意的是,内阻越小,cgs和cgd电容越大,具体应用时要选择内阻合适的MOS管。

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桑温要3923开关电源上面的MOS管要怎么选择,要注意哪些参数,有什么好的方法推荐没有? -
艾曼爱19253453211 ______ 在ORing FET应用中,MOS管的作用是开关器件,但是由于服务器类应用中电源不间断工作,这个开关实际上始终处于导通状态.其开关功能只发挥在启动和关断,以及电源出现故障之时 . 相比从事以开关为核心应用的设计人员,ORing FET...

桑温要3923理想情况下,mos电路会发热么 -
艾曼爱19253453211 ______ MOS管导通是有内阻的,每个型号的MOS管都有额定耗散功率,耗散功率就是器件本身的功率消耗,一般情况下做信号调理的MOS管的耗散功率比较小发热量不大,但作为功率器件的MOS管尤其驱动大负载的功率MOS是一定会发热的,所以都会加散热片.

桑温要3923mos管一般用来做什么?怎么实现的? -
艾曼爱19253453211 ______ 24V 2A的电流 用mos管做开关不合适,因为mos管的压降比三极管大很多,负载上会得不到24v,还是用大功率三极管现实,24v2A的参数不大,基本任何PNP型塑封大功率管都能胜任,不过为减小基极控制电流,可采用一大一小二个PNP型管复合的型式,E接正,C输出,小管B为控制极,低电压导通.如果采用二个NPN型管,那么输出电压要比用PNP管低1.4v.(当然三极管也有饱和压降,但只有0.2v以下)

桑温要3923谁能简明扼要介绍MOS 管,包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异? -
艾曼爱19253453211 ______ 其实网上这方面资料有的是,你也应该看到不少.我说说我自己的理解. 关于MOS管记住几点就可以了 1、P和N .这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5...

桑温要3923MOS管导通特性和MOS开关管损失,你能了解多少?
艾曼爱19253453211 ______ MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗.选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗.现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有.

桑温要3923p沟道的增强型mos管,d和s接电源,当g悬空,即g什么都不接时,该mos管会工作吗? -
艾曼爱19253453211 ______ 有可能工作,并且很容易烧坏,因为mos管是电压开启型管子,基本不需要电流的,直接在漏源极接电源在高频或者感扰较大的情况下,悬空的栅极很容易出现少量电荷低电压导通mos管,在这种状态下mos工作在非全导通状态,相当于电阻,发热比较严重,达到一定温度就冒烟或者炸管了.因此mos管的钳位电阻是很有必要的.

桑温要3923关于MOS开关管驱动 -
艾曼爱19253453211 ______ Vd<Vg-Vth时,NMOS工作在线性区,也就是不饱和导通区,并不是真正的导通.和你的理解正好相反.高压NMOS的开启在2V左右,所以30V的GS电压已经够了,甚至偏高.因为一般DS耐压100V左右的NMOS,其栅极耐压也就20或30V,这个要看你的MOS的说明书.理论上,GS电压越高,NMOS导通内阻越小,但是,由于要给栅极电容充电到高压,所以整个开启速度会变慢,所以并不是电压越高越好.关于周期,你可以用你的驱动电流和栅极电容进行计算,看看开启速度能不能满足你的要求.

桑温要3923为什么mos管压降那么大,具体如下图 -
艾曼爱19253453211 ______ 选的型号不对额,可能mos管没有完全导通,可能mos管本身的内阻就大,那是因为mos管的内阻太大了;第二.第一,所以内阻很大

桑温要3923请教MOS导通电阻?? -
艾曼爱19253453211 ______ 实在没有什么必要.导通电阻是温度的函数,按照你的电路,管子发热量相当大(注意电阻的额定功率),必然温度上升.结果是每次测量结果都不一样.另外,导通电阻往往厂家只给一个最大值(并注明测试条件),厂家制订的测试条件通常接近使用者实际使用条件(否则不好卖).实际的管子,导通电阻可能比厂家给出的数值小一半.要想知道施加不同GS之间电压时管子的电流,参考红线标出的两个参数.

桑温要3923关于MOS电路 高阻抗的特点 的问题 -
艾曼爱19253453211 ______ MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写,MOS电路由MOSFET(场效应管)构成,MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离,因此栅-衬间的电阻极大,而MOS电路的输入内部就是与栅极相接,...

(编辑:自媒体)
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