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半导体器件参数

来源:baiyundou.net   日期:2024-09-22

12日,记者从中国科学技术大学获悉,日前在美国旧金山召开的第68届国际电子器件大会(IEEE IEDM)上,中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文(高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器)被大会接收。

IEEE IEDM是一个年度微电子和纳电子学术会议,是报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模等领域的关键技术突破的世界顶级论坛,其与ISSCC、VLSI并称为集成电路和半导体领域的“奥林匹克盛会”。

如何开发出有效的边缘终端结构,缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决,PN结相关的边缘终端结构一直是难点。龙世兵课题组基于氧化镓异质PN结的前期研究基础,将异质结终端扩展结构成功应用于氧化镓肖特基二极管。该研究通过合理设计优化JTE区域的电荷浓度,确保不影响二极管正向特性的同时最大化削弱肖特基边缘电场,从而有效提高器件的耐压能力。优化后的器件实现了2.9mΩ·cm^2的低导通电阻和2.1kV的高击穿电压,其功率品质因数高达1.52GW/cm^2。此外,利用该优化工艺成功制备并封装了大面积的氧化镓肖特基二极管,器件正向偏压2V下电流密度达到180A/cm^2,反向击穿电压高达1.3kV。

光电探测器在目标跟踪、环境监测、光通信、深空探索等诸多领域发挥着越来越重要的作用。响应度和响应速度是光电探测器的两个关键的性能参数,然而这两个指标之间存在着制约关系,此消彼长。龙世兵团队通过引入额外的辅助光源实现对向光栅(OPG)调控方案,来缓解上述制约关系。

该工作提出了一种光电探测器芯片内千万像素共享一颗辅助LED即可缓解响应度与响应速度之间的制约关系的策略,对光电探测芯片综合性能的提升有重要参考意义。(科技日报)

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暨凤谢4762半导体器件——二极管 -
璩豪苇13027707840 ______ PIN型二极管(PIN Diode) 这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体二极管.PIN中的I是“本征”意义的英文略语.当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应,其二极管失去整流作用而变成阻抗元件,并且,其阻抗值随偏置电压而改变.在零偏置或直流反向偏置时,“本征”区的阻抗很高;在直流正向偏置时,由于载流子注入“本征”区,而使“本征”区呈现出低阻抗状态.因此,可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用.它常被应用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中.

暨凤谢4762晶体三极管的特性 -
璩豪苇13027707840 ______ 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示. 晶体管是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件.它对电信号有放大和开关等作用,应用十分广泛. ...

暨凤谢4762半导体的详细信息 -
璩豪苇13027707840 ______ 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件.它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件,具有按照外加电压的方向,使电流流动或不流动的性质.晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的...

暨凤谢4762晶体管的hEF指什?晶体管的hEF指什么
璩豪苇13027707840 ______ 晶体管:(半导体分立器件) 半导体分立器件泛指半导体二极管,三级管以及半导体特殊器件. 特性参数:(二极管) If正向直流电流:他定义为二极管低阻方向流过的电...

暨凤谢4762半导体导电性受什么影响? -
璩豪苇13027707840 ______ 半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感.纯度很高的半导体材料称为本征半导体,常温下其电阻率很高,是电的不良导体.在高纯半导体材料中掺入适当杂质后,由于杂质原子提供导电载流子,使材料的电阻率大为降低.这种掺杂半导体常...

暨凤谢4762半导体器件的命名方法 -
璩豪苇13027707840 ______ 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成.五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目.2-二极管、...

暨凤谢4762介绍一种特殊用途的半导体器件?
璩豪苇13027707840 ______ 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成...

暨凤谢4762半导体器件的识别方法是?
璩豪苇13027707840 ______ 你好!半导体器件的识别方法:(1)电阻为R,(2)电容为C,(3)电感为L,(4)直流电池为DC/V[+.-],(5)交流电为AC/V,(6)音频变压器为B,(7)二极管为D,(8)三极管为BG,主要是这些!只能看符号表示就行!

暨凤谢4762半导体器件型号由哪些部分组成呢?
璩豪苇13027707840 ______ 2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器半导体件的材料和极性

(编辑:自媒体)
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