双阱工艺和p衬n阱工艺

却涛话3150VDMOS多晶硅如何掺杂 -
管是以13318796028 ______ 举个例子,CMOS双阱使用自对准工艺,N管的栅是N型,P管的栅是P型,那么N,P管互连的多晶硅残杂是何类型

却涛话3150简述20世纪八十年代与20世纪九十年代的CMOS工艺?简述20世
管是以13318796028 ______ )采用氧化工艺进行器件间的隔离 2)采用磷化硅玻璃和回流进行平坦化 3)使用正性光刻胶进行光刻 4)采用蒸发的方法进行金属层的淀积 5)使用发达的掩膜进行成像 ...

却涛话3150隔离技术的分类是怎样的?
管是以13318796028 ______ 双极型集成电路隔离法 主要有PN结隔离、介质隔离和两者混合隔离三类. ①PN结... 还需要制作专门的阱(N阱或P阱)加以隔离. 这部分隔离实际上是PN结隔离,因此会...

却涛话3150什么是半导体的阱区 -
管是以13318796028 ______ 半导体一般可分为本征半导体,N型半导体以及P型半导体 分别代表无杂质掺杂,掺杂N型杂质(P,As)和掺杂P型杂质(B,Ga). 如果在N型衬底上扩散P型区,就叫做P阱区; 如果在P型衬底上扩散N型区,就叫做N阱区;

却涛话3150什么是mos晶体管时防止闩锁效?什么是mos晶体管时防止闩锁效应
管是以13318796028 ______ p衬底,n阱和PMOS的源构成的.当两个双极型晶体管之一前向偏置时(例如由于流经阱... 闩锁效应在早期的CMOS工艺中很重要.不过,现在已经不再是个问题了

却涛话3150N阱CMOS工艺中之所以要将衬底接GND阱接到电源上是因为阱和衬底构成的pn节反偏.请问什么叫阱和衬底pn反偏? -
管是以13318796028 ______ 就是衬底到阱电压大于等于0

却涛话3150P形半导体能否与N形半导体互相转换 -
管是以13318796028 ______ 一块P型半导体要转换为一块N型半导体,然后再相互转换......从原理上讲,通过离子注入掺杂,是可以有限地做到.但是没有意义. 现实中的转换,有下面两种方法: 1--P型半导体通过中子辐照嬗变掺杂,转换为N型半导体; 2--N型半导体通过重新熔炼+掺杂,转变为P型半导体.或者P型半导体通过重新熔炼+掺杂,转变为N型半导体...... (供参考)

却涛话3150在CMOS中衬底为N型掺杂形成P阱,形成P阱的优点和缺点是什么??
管是以13318796028 ______ 在计算机领域,CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)... 在今日,CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件,尤其是片幅规格...