变压器驱动mos管
常见的小功率电源几乎都是反激电路，有些LED电源是单端或者交错式的正激，且都是单端形式，磁芯只能利用第一象限。但推挽和桥式电路都是利用了磁芯的一三象限。
因此在同磁芯和同频率的情况下，其功率相比较起来，推挽式和桥式会更大。
推挽自激电路以前以三极管来作为主要驱动器件，但存在一些缺点，比如放大倍小，驱动难，正向的压降较大，容易出现高频自激而损坏。
但后来有了MOS管的出现，在功率大的场景中，它有了更大的优势。于是我们利用MOS管来进行推挽自激。那它是如何工作的呢？
我们来围绕下面这张电路图展开了解：
当开关S1闭合时，继电器的线圈通电，电源+V经过电感L1，向N1 N2（变压器）的中抽头进行供电，此外，电流还会C1和R2（电阻）流向N3、N4的中抽头。
这时N3、N4的电流会通过电阻R3、R4，流向Q1和Q2的栅极。
如果按平时的思路来看，我们可能会认为，Q1、Q2会因此导通并烧毁，但其实并非。
原因是，N1和N4是同名端，N2和N3也是。但按照实际情况来定，两者的电感量与内阻以及其它参数值是不会一致的，包括MOS管的导通电压。
我们假设Q1此时先导通，那么N1上一定会存在电流，并且会马上互感到N3、N4上。N4为同名端，它会同时叠加电流/电压到Q1的栅-源极，并快速的放大，让Q1彻底导通。
而N3并非其同名端，它也会产生相反的电动势（由弱到强），让Q2的栅-源极产生负压，并果断关闭。
当Q1导通之后，变压器N1绕组并达到磁饱和，电流会增加。这时磁通量不再增加，N4无法再互感电流/电压后，N1上会迅速产生强烈的反相电动势，N4的电动势也跟着反相，Q1截止。
这时N1上的电流反向了，相对N3来说是同名端了。N3就会通过电阻R3把电流/电压提供给Q2，Q2马上导通。
那么接下来同之前的状态一样。
当变压器N2绕组再次达到磁饱和后，N2也就产生反向电动势，让N3也产生反向电动势，然后Q2截止，同时N4互感电流让Q1导通。
这样周而复始，就形成了振荡。
事实上，L1电感的作用是退耦及限制峰值电流的。这样不会使电路的空载电流太大，否则开关MOS管极有可能发热严重并损坏。
加以说明：这里要用倍压整流。为了减小变压器的匝比，且交流电压很低，不易击穿漆包线，减小危险。
推挽式电源在电路工作时，两只对称的功率开关管一般只有一个导通，因此它的导通损耗较小。加上其结构简单、变压器磁芯利用率较高等优势，推挽式电源广泛应用于低电压大电流场合。
好了，本期文章就到这里，创作不易，您的点赞/关注是我持续创作的动力，多谢！
（以上部分图片与资料来源于网络）
","gnid":"95c62f68d7a072030","img_data":[{"flag":2,"img":[{"desc":"","height":"928","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01de857228c7eb746a.jpg","width":"1306"},{"desc":"","height":1114,"title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01ba85ecbc8c5cfdf9.jpg","width":1118}]}],"original":0,"pat":"art_src_3,fts0,sts0","powerby":"pika","pub_time":1703659860000,"pure":"","rawurl":"http://zm.news.so.com/8a8a95e067dc17c6ef5173de6ad88be1","redirect":0,"rptid":"9b4594bccf3c7aac","rss_ext":[],"s":"t","src":"VBsemi微碧半导体","tag":[],"title":"纯干货一键收藏！如何利用MOS管进行推挽自激？
空狡卢2161求使用IR2110驱动单个mos管的电路 -
诸峡月17825132409 ______ 我最近也在用IR2110,做一个交流逆变电源. IR2110的高端驱动电平(6脚与5脚)相对于COM是悬浮的,必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电,这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管. 如果是驱动单个MOSFET的话用低端驱动,即用1脚和2脚,换作LIN给PWM信号.如果实在要用7脚与5脚的话,必须把5脚强制接COM,即接到15V的地.否则7脚对COM一直为高.
空狡卢2161MOS管应用电路有什么要求呢?
诸峡月17825132409 ______ 现在的MOS驱动,有几个特别的需求:低压应用当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的有0.7V左右的压降,导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V.这时候,我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险.同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合.
空狡卢2161一般用什么沟道的场效应管做开关管 -
诸峡月17825132409 ______ N沟道,应用和NPN三极管类似.你很少看见用P沟道MOS管做开关电源的,就像PNP不常用一样.
空狡卢2161请问IGBT管与MOS管的驱动触发条件有什么不同或相同? -
诸峡月17825132409 ______ IGBT是达林顿结构,MOS不是.IGBT和MOS都需要一定的门槛电压(VGSth)来触发打开 但是由于IGBT的达林顿结构导致寄生电容偏大,故需要一定的门极驱动能力,MOS相对较小.相对的,IGBT的开关频率普遍较低(30~50K以下)而电流较大(可达1000A).MOSFET的开关频率可达500K,而RMS电流普遍较低(一般不超过100A)
空狡卢2161帮我分析下驱动三极管电路和驱动mos管电路有什么相同和不同的地方? -
诸峡月17825132409 ______ 简单地说mos管事电压控制,三极管是电流控制的
空狡卢2161单片机pwm驱动mos管的问题 -
诸峡月17825132409 ______ MOS管内阻很小,普通的有 40mΩ 左右,导通电流支持20A;好的能到4mΩ左右,导通电流支持80A; 10A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为2.1V~4V,标称3V;3.7V的锂电池,饱和是4.2V,选择3.3...
空狡卢2161mos如何管构成二极管 -
诸峡月17825132409 ______ 对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET,漏极到源极之间有一个本体二极管,其特性是:电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流,耐压=场效应管耐压,方向N沟道的是源极为正、漏极为负,P沟道相反! 只要加适当的电...
空狡卢2161mos管驱动波形和 vgs波形是一样的吗 -
诸峡月17825132409 ______ 一般而言MOS管的驱动波形就是指 G 和 S间的电压即 Vgs
空狡卢2161MOS管的驱动电路有哪些要求呢?
诸峡月17825132409 ______ (1) 开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOS管栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡.