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国产mosfet

来源:baiyundou.net   日期:2024-09-21

智通财经APP获悉,9月26日,新洁能(605111.SH)在业绩说明会上表示,公司目前车规级SGT MOSFET产品的进展和销售状况整体顺利,目前产品交付数量已超过40款且持续增加。此外,新洁能也指出公司的产品已经涉及车身控制域、动力域、智能信息域、底盘域、辅助驾驶域等多个领域应用,并深入到变速箱执行单元、主驱电控、OBC、动力电池管理、刹车、ABS、智能驾驶系统等核心系统,产品交付数量已超过40款且持续增加,产品交付至今无任何异常反馈。

新洁能中报显示,公司2022上半年实现营业总收入8.61亿元,同比增长25.7%;实现归母净利润2.34亿元,同比增长34.4%;每股收益为1.18元。

在业绩说明会上,对于经营性现金流同比明显减少的原因,公司解释道,2022年上半年经营性现金流的变化主要受到“购买商品、接受劳务支付的现金”增加的影响比较多。公司的库存主要是按照产品平台类型进行分类,而产能利用率要结合不同的市场应用、不同的客户来论述,尤其是在今年整体行情呈现分化的趋势下。此外,新洁能也指出公司的产能和新建产能主要是根据市场情况来进行的积极布局,不存在划分客户之说。公司开拓客户以及销售放量存在多种多样的形式。在研发进展情况上,公司表示研发进展一切顺利,此外,公司正在就SiC产品方面进行积极的产业链布局。

随着配套的FRD产能的增加,公司的IGBT产品出货得以进一步放量;且随着公司IGBT产品产能的持续增加,预计公司下半年IGBT销售额和销售占比提升较为明显。目前IGBT和MOSFET国内晶圆厂正处于持续扩建产能中,后续会有产能陆续释放出来,以满足下游客户的需求。据了解,目前IGBT的国产化份额仍较低,大部分份额仍被英飞凌、安森美等国际厂商占据,尤其是在光伏储能、新能源汽车等领域,国产供应商仍有非常大的提升空间。

另外。针对下半年及明年光伏和新能车放量进展,公司则表示,随着公司IGBT产能以及IGBT配套的FRD产能的持续增加,公司下半年在光伏及储能领域的销售额及销售比例预计将继续快速增长;而在汽车领域,随着公司在汽车电子领域的不断发力,合作的整车厂商和tier1厂商数量不断增加、应用不断深入、可供产品料号不断扩增,整体销售额也将持续提升。公司亦已将“光伏储能+汽车电子”作为公司未来几年发展的双轮驱动,展望明年,光伏储能和汽车电子领域的销售将继续放量。

从目前的市场情况、明年的协议订单等情况来看,明年相当长一段时间内,光伏储能领域的需求仍保持不错的形势。公司已将“光伏储能+汽车电子”作为未来几年发展的双轮驱动,不断加大资源投入,进一步拓展MOSFET产品、重点深化IGBT产品、积极开发集成功率器件产品,掌控国际先进半导体功率器件封装产线并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件以及功率模块的研发及产业化;在持续保证IGBT单管产品在国内光伏储能领域的龙头地位的同时,大力发展IGBT模块产品。从市场空间来看,国际厂商仍占据了主要市场份额,目前仍是以国产替代为主。

mosfet方面的情况,公司则表示,公司今年在车规级MOSFET以及其他新兴应用领域的MOSFET拓展顺利,截至当下,预期完成较好。从实现情况来看,公司与比亚迪继续扩大合作规模,另外公司产品已对小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等数十家车企形成持续规模出货,涉及车身控制域、动力域、智能信息域、底盘域、辅助驾驶域等多个领域应用,并深入到主驱电控、OBC、动力电池管理、刹车、ABS、智能驾驶系统等核心系统,产品交付数量已超过40款且持续增加,产品交付至今无任何异常反馈,销售占比不断提升。公司目标成为汽车市场国产品牌出货品种最多,出货数量最大的功率器件设计公司。

公司目前供给比亚迪的主要产品为MOSFET类产品,尤其是SGT MOSFET产品居多。此外,公司也表示正在持续优化产品结构,不断降低沟槽型MOSFET的投产以及销售比例。

","force_purephv":"0","gnid":"9dc24545334a15b91","img_data":[{"flag":2,"img":[]}],"original":0,"pat":"art_src_3,fts0,sts0","powerby":"hbase","pub_time":1664181540000,"pure":"","rawurl":"http://zm.news.so.com/93d53c8eda42241323d3209cb0c3d321","redirect":0,"rptid":"c567c7794834b3b5","s":"t","src":"智通财经","tag":[{"clk":"keconomy_1:动力电池","k":"动力电池","u":""},{"clk":"keconomy_1:abs","k":"abs","u":""}],"title":"直击业绩会|新洁能(605111.SH):车规级SGT MOSFET产品进展整体顺利 目前产品交付数量已超40款且持续增加

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(编辑:自媒体)
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