常用nmos管型号
雪崩失效
MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值，并且达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。下面这张测试图是区分是否雪崩失效。
那么，我们应该怎样有效预防雪崩效应呢？
雪崩效应的主要原因是由电压引起的，因此在预防手段上，我们会着重从电压方面入手：
1、合理降额，目前行业内的降额一般选取80%-95%；
2、合理的变压器反射电压；
3、合理的RCD及TVS吸收电路设计；
4、尽量采用粗、短的布局结构的大电流布线，减少布线寄生电感；
5、选择合理的栅极电阻Rg；
6、在大功率电源中，适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。
SOA失效（电流失效）
是指电源在运行时，异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是由于芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。
SOA失效的预防措施
1、确保在最差条件下，MOSFET所有功率限制条件均在SOA限制线以内。
- 将OCP功能做到精确细致。在进行OCP点设计时，一般可能会取1.1-1.5倍电流余量居多，随后根据IC的保护电压，例如0.7V开始调试RSENSE电阻。
- 合理的热设计余量，例如加入散热器。
MOS管发热分析
MOS管发热一般是由于超出安全区域引起发热而导致的。
发热的原因一般是直流功率和瞬态功率两种：
直流功率
1.导通电阻RDS(on)损耗，高温时RDS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加；
2.由漏电流IDSS引起的损耗（和其他损耗相比较小）；
瞬态功率：
1.外加单触发脉冲；
2.负载短路；
3.开关损耗（接通、断开） ，与温度和工作频率是相关的；
4.内置二极管的trr损耗（上下桥臂短路损耗），与温度和工作频率是相关的；
一般解决MOS管发热问题，要判断是否是以上原因造成，需要进行正确的测试去发现问题所在 。
在进行开关电源测试中，可以用三用表测量控制电路其他器件的引脚电压，重点在于用示波器测量相关的电压波形。
当判断开关电源是否工作正常，例如电源的工作状态，变压器原边和次级以及输出反馈是否合理，开关MOS管是否工作正常，PWM控制器输出端是否正常，包括脉冲的幅度和占空比是否正常，等等。
解决的措施：
- 改变栅极驱动电阻阻值，选择合适的频率，给予MOS管完全导通创造条件；
- 选择内阻更小的MOS管，使管子本身的压降降低；
- 合理选择的散热器。
此外，常见的MOS管失效效应还有：
体二极管失效
在桥式、LLC等需要使用体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管（PN结）遭受破坏而导致的失效。
预防方案：
1.选用恢复时间较小的MOS管
2.优化电路设计
静电失效
当MOS管受到静电放电时，会导致器件失效。
预防方案：
采用静电保护电路来保护MOS管。
栅极电压失效
由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效
预防方案
选择合适的MOS管型号，或者采用过压保护电路来保护MOS管。
谐振失效
在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。
预防方案
1.PCB布线时，走线需要尽量短，尤其是MOS管驱动信号线；
2.驱动回路中串联电阻，以增大阻尼；
3.采用补偿电路来消除谐振效应。
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郝褚秦2977sot23封装的mos管常用的型号有哪些? -
向独庭17318191498 ______ 20V,2301 2302 2305 2306 2307 30V,3401 3400 3402 3407 3145
郝褚秦2977求推荐小功率场效应管 -
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向独庭17318191498 ______ 能找到内含4个及以下的,超过4个的就很难见到了.下面列几个型号供参考: “二管”的:APM4500(对管、带阻尼二极管)、ALD1116(NMOS)、ALD1107(PMOS) “三管”的:LTC1163(连体的) “四管”的:MSK3013(4-NMOS带阻尼二极管)、ALD1106、ALD1107、SFF120-28Q、ALD1123E、IRHQ597110、IRHQ593110、MAX620、MAX621等等
郝褚秦2977求一MOS管的型号 -
向独庭17318191498 ______ 让人推荐MOS管,最好说明一下你的应用,单看这几个数字的话,推荐一个--AOD444.NMOS,Vds=60V,Pd=20W,Td(on)=4.2ns,Td(off)=16ns