投影轮廓线
金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“，公开号CN117545270A，申请日期为2022年7月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；堆叠结构，位于衬底上，堆叠结构包括沿第一方向间隔排布的存储区域、以及位于所述存储区域之间的隔离墙；存储区域包括沿第二方向间隔排布的存储单元，所述存储单元包括晶体管结构和电容结构，电容结构在衬底的顶面上的投影的轮廓线均为矩形或者圆角矩形，在沿第一方向上，所述晶体管结构的宽度与所述电容结构的宽度相等；在沿第三方向上，所述晶体管结构与所述电容结构对齐排布。本公开能够提高半导体结构稳定性和集成度，且提高了各个存储单元之间形貌的一致性，从而提高所述半导体结构内部各存储单元电性能的一致性。
本文源自金融界
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