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提高阈值电压的方法

来源:baiyundou.net   日期:2024-08-29

金融界2024年1月17日消息,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“NMOS晶体管制备方法及NMOS晶体管“,公开号CN117410184A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本申请涉及一种NMOS晶体管制备方法及NMOS晶体管,首先提供衬底,衬底内包括阵列排布的多个有源区及用于限定多个有源区的沟槽,沟槽的内侧壁上形成有衬垫氧化层,于沟槽内形成顶面低于衬垫氧化层的顶面的填充层,至少经由沟槽的内侧壁向有源区内依次形成第一预非晶化阻挡层、第二预非晶化阻挡层,并在第一预非晶化阻挡层和第二预非晶化阻挡层之间进行P型离子注入,去除填充层后,于沟槽内形成覆盖衬垫氧化层的缓冲隔离层,缓解后续形成隔离结构时的生长应力,并于沟槽内形成顶面不低于衬垫氧化层的顶面的隔离结构,再于有源区内形成NMOS晶体管,提高了NMOS的阈值电压,改善了NMOS晶体管的反窄沟道效应。

本文源自金融界

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(编辑:自媒体)
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