高边mosfet驱动芯片

纳芯微全新推出NSD3604/8-Q1系列多通道半桥栅极驱动芯片，覆盖4/8路半桥驱动，可驱动最少4颗直流有刷电机，实现多通道大电流电机驱动，也可以作为多通道高边开关驱动使用。非常适合用于多电机或多种负载应用，如车窗升降，电动座椅，门锁，电动尾门和比例阀等车身控制应用。

NSD360x-Q1产品特性

• 宽工作电压：4.9V – 37V（最大值40V）

• 4，8通道半桥栅极驱动

• 可配置时序充放电电流驱动(CCPD)，优化EMC性能

• 集成2级电荷泵实现100% PWM

• 集成2路可编程宽模运放

• 低功耗模式

• 16位 10MHZ SPI通信

• 全面的诊断保护功能

• 工作温度：Tj=-40°C~150°C

• 封装形式：VQFN40，VQFN56

• AEC-Q100认证

图一：NSD3608-Q1功能框图

1

可配置时序充放电电流驱动（CCPD）

由于车身应用中执行器的位置特殊性比如电动尾门和天窗非常靠近车身天线，对相应的电机驱动提出了较高的EMC要求，要求驱动器即使在PWM工作时也拥有较低的辐射及传导干扰(RE/CE) 。

为了应对这些挑战，NSD360x-Q1提供了可配置时序充放电电流驱动(CCPD:Configurable Charge/Discharge Current Profile Driver)。NSD360x-Q1 可以根据外部负载(MOSFET)参数和应用需求，同时实现4路半桥独立时序电流PWM驱动。

如下图所示，NSD360x-Q1的CCPD模块将MOS导通/关断过程分为三个阶段：预充电/预放电阶段、充电/放电阶段、尾充电/尾放电阶段，所有阶段的持续时间和驱动电流独立可配置。此外，NSD360x还基于内部比较器反馈实际驱动时序（tDON/tDOFF, tRISE/tFALL），用户可以通过这些时序反馈利用MCU改变各阶段的持续时间和电流来实现闭环控制。

图二：CCPD驱动时间示意图

NSD360x-Q1所集成的CCPD不再需要外部门级电阻和GS/GD电容，闭环控制后（需MCU介入完成）可以保持驱动的一致性避免负载和温度等因素带来的影响，同时还能降低驱动功耗和提高EMC性能。

2

宽模运放

NSD360x-Q1 内部集成了两个高性能差分放大器（CSA1和CSA2），通过测量外部采样电阻上的差分电压来测量电流，CSAm模块支持可编程增益和偏置，宽共模，双向输入和Blanking功能。通过CSAm模块可以实现精准的电流采样，节省客户BOM。

3

全面的诊断保护功能

NSD360x-Q1 集成了全面的诊断保护功能，如实时电源及电荷泵电压监控，实现全功能的欠压过压诊断保护(DVDD UV, PVDD OV, PVDD UV 和VCP UV)、驱动模块监控实现VGS及VDS诊断保护、实现运行和关闭状态下负载的开路，短路诊断(内置了上下拉电流源，从而实现off状态下负载检测)、过热报警及过热保护、看门狗、睡眠模式和工作模式下的刹车保护功能等。所有诊断保护功能支持SPI配置或者信息读取，也支持独立的PIN脚实现IO状态输出（DRVOFF和nFLT 共享一个引脚需要SPI配置功能）。

图三：NSD3608-Q1驱动电机负载典型应用原理图

NSD360x产品选型表

NSD360x可提供样片，如需申请样片可扫下方二维码进行申请。也可邮件至[email protected]或拨打0512-62601802-810进行咨询。

END

(纳芯微)

龚花孙751LED显示屏常用的驱动IC都有什么? -
应应尝17761585330 ______ 对LED大屏幕常用的IC都有哪些,下面对常见IC做个简单汇总,方便大家参考: 74HC245的作用:信号功率放大,双向3态数据缓冲器(不带锁存),就是给低输出能力的芯片提供高带载能力; 74HC138的作用:八位二进制译十进制译码器; ...

龚花孙751四个mosfet做成的全桥驱动器为什么会烧毁?? mosfet烧毁是什么原因,DS短路为什么会将mosfet烧毁??
应应尝17761585330 ______ 四个Mos管组成的全桥如果全部烧毁最有可能的就是控制方式的漏洞,导致其中的两个管子还没有关断而另外两个管子就又导通了,此时相当于电源通过四个管子直接短路,不烧坏就怪了

龚花孙751模拟电路中高边、低边是什么?高边驱动、低边驱动是什么? -
应应尝17761585330 ______ 高边驱动:形象点说,像在电路的电源端加了一个可控开关.高边驱动就是控制这个开关开关. 低边驱动:形象点说,像在电路的接地端加了一个可控开关.低边驱动就是控制这个开关开关. 两者的区别是低边驱动比较容易实现,而且电路也比较简单,一般的MOS管加几个电阻、电容就可以了. 但是高边则不然,需要让GS保持一定的压降,以确保稳定、连续的开关.这时需要一个自举电容. 理解这个最好的例子莫过于H桥了,你可以搜一下.多用于电机驱动. 像常用在汽车上的芯片低边有L9825等,高边的也很多网上搜一搜. 选择这些芯片要考虑其开关速度、过流能力、耐压能力、以及散热等因素.

龚花孙751TB6560 步进电机驱动芯片 -
应应尝17761585330 ______ THB6016H两相混合式步进电机驱动芯片,内置双全桥MOSFET驱动、温度保护及过流保护,采用HZIP25封装(尺寸:36.5*17mm),耐压40V、电流3.5A(峰值)、16细分,外围电路简单.适配57mm机座及其以下所有两相混合式步进电机....

龚花孙751high - side MOSFET是什么意思? -
应应尝17761585330 ______ 在电路中衬底或源端电压不为0, 而是某个较高的电压

龚花孙751电源芯片U6201可以用在快充方面吗?
应应尝17761585330 ______ 开关电源芯片U6201的特点: 1)频率可外部编程,并内置频率抖动改善EMI 2)副边反馈/外驱MOSFET,超低启动电流 3)管脚浮空保护 4)内置同步斜率补偿 5)逐周期电流限制,内置前沿消隐 6)大输出功率65W

龚花孙751银联宝科技高性能开关电源芯片TB6806SA有什么特点?
应应尝17761585330 ______ 开关电源芯片TB6806SA的特点: 1. 原边反馈/内置MOSFET 2. 效率满足六级能效要求 3. 低待机功耗小于70mW 4. 内置600V 功率MOSFET 5. QR-PSR控制提高工作效率 6. ±4%恒压恒流精度,多模式PSR控制

龚花孙751电源芯片U6201有什么特性?
应应尝17761585330 ______ 银联宝科技电源芯片U6201是恒流控制支持CCM和DCM模式,为副边反馈/外驱MOSFET,有TL431,待机功耗小于75Mw;具有主动赔偿输入电压.电感感量改变和±5%恒压恒流精度, 迅速动态呼应操控 ;它的固定作业频率为65KHZ.

龚花孙751LED电源布线时,驱动IC到mosfet的G极的线太长会有什么影响吗 -
应应尝17761585330 ______ 因为不是理想的导线,如果太长的话会寄生电感和电容,这样MOS的驱动导通和关断的时候会有个振荡,在反馈环路调节的不好或某些情况下 会影响电路的稳定性. 个人理解,仅供参考

龚花孙75112V1A的开关电源适配器芯片U6773S怎么样呢?
应应尝17761585330 ______ 12V1A的开关电源适配器芯片U6773S内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度.开关电源芯片U6773处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统.当芯片检测VDET