a3120驱动mos

葛卢虞3844求使用IR2110驱动单个mos管的电路 -
蓬妻谈19411798094 ______ 我最近也在用IR2110,做一个交流逆变电源. IR2110的高端驱动电平(6脚与5脚)相对于COM是悬浮的,必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电,这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管. 如果是驱动单个MOSFET的话用低端驱动,即用1脚和2脚,换作LIN给PWM信号.如果实在要用7脚与5脚的话,必须把5脚强制接COM,即接到15V的地.否则7脚对COM一直为高.

葛卢虞3844单片机pwm驱动mos管的问题 -
蓬妻谈19411798094 ______ MOS管内阻很小,普通的有 40mΩ 左右,导通电流支持20A;好的能到4mΩ左右,导通电流支持80A; 10A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为2.1V~4V,标称3V;3.7V的锂电池,饱和是4.2V,选择3.3...

葛卢虞3844想用单片机pwm控制一个高压的MOS管要隔离吗 -
蓬妻谈19411798094 ______ 电源 电压是12V 单片机是5V, PWM 方式驱动mos (12V),需不需要隔离,二极管可不可以,MOS 管会不会对单片机干扰或损坏.

葛卢虞3844MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少? -
蓬妻谈19411798094 ______ 正常驱动10-15,不要超过20V. 开启的阈值电压4-5V. 关断最好有-5到-10V,或者保持低阻.

葛卢虞3844MOS管H桥驱动问题~ -
蓬妻谈19411798094 ______ 你用的IRF540或者IRF054吧? 首先,我觉得,用5V给栅极,他就不会导通,因为它导通需要在10V左右.其次,你说导通后漏源极电压相等这也是正确的,而且它导通是要考虑Vgs,就像三极管的Vbe一样,导通之后Vbe(Vgs)依然是不变的,因为栅极和源极间是一个反向PN结(因此导通电压较BJT高些),导通时该PN结反向击穿,通过你上面说的100电阻到地,压降还是那么多.另外我觉得你应该在MOS前用一个BJT作为前级驱动,5V是不能行的,你要是想要一个驱动电路原型的话我可以免费给你提供原理图,包括N-MOS和P-MOS的.我的邮箱[email protected]

葛卢虞3844直流电机PWM驱动电路为什么多选MOS而不选用TTL -
蓬妻谈19411798094 ______ 楼上的MOSfet并不是开关速度快,相反是慢于BJT,一般都需要BJT来驱动; mosfet用在这里的最主要原因是导通后的内阻小,通过的电流大;这样加在电机的电压就接近电源电压,使得电机能正常工作; 而BJT导通后内阻大,而一般直流电机内阻极小,根据欧姆定律,BJT上分得的压降就多,加在电机上的电压可能不足以驱动电机,再者,就算能后驱动电机,因为电机电流一般很大,而BJT上的压降也很大(内阻大),耗散在BJT上的功率也就很大,最终导致烧毁BJT.

葛卢虞3844单片机的PWM输出可以直接驱动MOS管吗? -
蓬妻谈19411798094 ______ 可以,但导通电阻较大,因为功率MOS的G极最大限压30v,一般驱动电压在10~15v,比较合适,建议你通过光驱去驱动MOS管.

葛卢虞3844变频器中的光耦,A3120哪两个脚短接就不报警了 -
蓬妻谈19411798094 ______ 这个光耦好像没有检测功能的吧

葛卢虞3844如何用单片机驱动直流电机的? -
蓬妻谈19411798094 ______ 1楼,PWM驱动MOS就能让电机调速了?PWM出来吼经过滤波成平直度电压,用这个电压控制MOS的导通率,从而改变MOS 的压降,这样电机上的电压才会变化实现调速.BL不是直流电机么?也可以用PWM调速 L298在驱动多个电机时候可以用,只用一个用MOS就可以了,L298其实也就是几个MOS集成在一起的

葛卢虞3844修理变频器时发现光耦A3120坏了两个,手头只有TLP350不知道能否完全代换,谢谢 -
蓬妻谈19411798094 ______ A3120是安华高的 HCPL-3120 ,最大输出电流为2ATLP350为东芝的,最大输出电流我2.5A差别不是很大,可以替换----潮光光耦网----