mos管判断

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mos管判断

来源：baiyundou.net 日期：2024-09-22

一个MOS管最大电流是100a，电池电压96V，开通后刚进入米勒平台时，MOS管发热功率是P=V*I，由于电流达到最大，所有功率都在MOS管上：P=96*100=9600w。

此时它的发热功率最大，随后迅速降低直到完全导通，功率变成了100*100*0.003=30w，假设这个MOS管的内阻是3毫欧姆，那这个开关过程的发热功率是十分惊人的。

以上是微碧在网上看到的示例。

我们知道，实际操作中过慢的充电是可以减小振荡，但会延长开关。

如果开通时间慢，意味着从9600W到30W的发热过渡会很慢，这会导致MOS管的结温严重升高，烧毁MOS管。上升时间过长会导致MOS管工作为线性状态，非开关状态。

我们可以选择降低MOS限流，例如限制50a，或者降低电池电压到48V，这样损耗会降低一半，避免管子烧毁。

这也是高压控管子烧毁的原因，但是低压控的开关损耗不一样，它的导通损耗主要是MOS管的内阻决定的。

这个内阻也会随着Vgs电压的升高而减小，所以不要认为只要超过了Vgs的阈值电压就可以顺利导通MOS管，特别是在大功率的应用场景，高Vgs是非常有必要的，因此MOS管的散热非常重要。

那么，充电时间越快越好吗？

当然不是，过快的充电会导致激烈的米勒振荡。

此外，管子小电流发热，主要由以下造成：频率太高、散热设计、选型、电路设计。

频率太高：过份追求体积，导致频率提高，MOS管损耗增加，加大了发热。

散热设计：电流太高，没有做好散热设计，当ID小于最大电流时，发热可能会严重

选型有差：功率判断不一，没有充分考虑MOS管的内阻，开关阻抗增大。

电路设计：让MOS管工作在线性的工作状态，并非开关状态。

NMOS和PMOS在这里还有作区别。

当NMOS做开关，G极的电压需要比电源高几V才能完全导通，但PMOS则相反。

因为没有完全打开而压降过大，造成了功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗意味着发热。

MOS管的导通过程

一般解决方法：

1.MOS管选型：选择适当的内阻，并非内阻越小越好，cgs和cgd电容越大；

2.良好的散热设计，添加足够的辅助散热片；

这里还有一个问题（网上看到的），MOS管一般会有两个电流连续漏级电流和脉冲电流，但是实际应用中，是不是电流的峰值不能超过连续电流?

其实MOS管的脉冲电流，是瞬间而不能持续的电流，例如开关瞬间的冲击电流，一般MOS管的脉冲均匀会非常大，如果是持续输出，且输出的时间比较长，关注散热也是有必要的。

这里注意下，如果无法使用外置散热器，可以尽量使用大封装，其散热性能会更好。

以上部分图片与资料来源网络

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邹佳砍1865MOS管如何检测其是否烧坏了?谢谢回答
冯祁庆19756699305 ______ 测试MOS好坏只能用指针式万用表才方便点,测试时选择欧姆R*10K档,这时电压可达10.5V,红笔是负电位,黑笔是正电位.测试步骤:MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大.其步骤如下:1、把红笔接到MOS的源极S上...

邹佳砍1865怎样判断MOS管是否工作在“开关状态” -
冯祁庆19756699305 ______ mos管的放大区就是饱和区,mos的三种状态没有击穿区,是截至区 ,击穿区可以定义为第四种状态.

邹佳砍1865模电MOS管工作状态的判断 -
冯祁庆19756699305 ______ UGD=UGS(off)是预夹断点,UGD>UGS(off),饱和;UGD<UGS(off),放大;把UGS (off)换成uGS(th)就是MOSFET的情况

邹佳砍1865如何判断是MOS管 -
冯祁庆19756699305 ______ 1117是可调稳压IC,一般按型号判断,不了解型号的可按常规MOS管测量方法判断.

邹佳砍1865下面有关MOS管的说法正确的是 - 上学吧找答案 - 上学吧普法考试
冯祁庆19756699305 ______ mos管比较好判断的是栅极G,漏极D和源极S不好区分. 首先说一下数字表和模拟(指针表)的区别,数字表的红、黑表笔对应代表正、负,指针表的红表笔代表负,黑表笔代表正,这是表的原理决定的. 其次,管脚的判定,因为MOS管的工作原理是电压控制形成(阻断)导电沟道的,我们就用万用表的二极管档位(数字表),电阻的10k党(模拟表),来施加栅极控制电压;观察:一般源极是和外壳连在一块的,负极接源极,正极分别接另两个管脚,数字减小或者指针偏转大的脚是漏极,另一脚就是栅极了

邹佳砍1865MOS场效应管的特征是什么?
冯祁庆19756699305 ______ 同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止.

邹佳砍1865电脑主板上的MoS管怎么用万用表测量?怎么判断好坏? -
冯祁庆19756699305 ______ 万用表打到响铃挡,测任意MOS管其中的两个引脚.响铃表示MOS已经被击穿,也就是已经坏了!

邹佳砍1865请问如何在电路图中判断mos管是增强型还是耗尽型,是N沟道还是P沟道, -
冯祁庆19756699305 ______ 增强型栅极虚线,耗尽行栅极是实线,P沟道箭头由栅极指向外,N沟道箭头由外指向栅极.还有一种是结型场效应管,一般不用,就不增加楼主的负担了

邹佳砍1865MOS管如何检测其性能
冯祁庆19756699305 ______ mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管.或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体参考资料: http://baike.baidu.com/view/1221507.htm

（编辑：自媒体）