mos管的开关区和饱和区
在一些高频开关电路中，MOS管的米勒效应有着延长开关频率，增加功耗，降低系统稳定性的让人讨厌的缺点。如下图，t2-t3之间存在一个平坦的小台阶，蓝色直线部分就是“米勒平台”。
MOS管的导通情况（米勒效应）：
当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。
米勒效应：由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vgs的下降，这样就会使损耗的时间加长,从而增加了损耗。
下图左为MOS管的电路符号图，右边为MOS管的等效模型。
图示米勒电容
Cgs：GS寄生电容
Cgd：GD寄生电容
输入电容Ciss=Cgs+Cgd
输出电容Coss=Cgd+Cds
反向传输电容Crss=Cgd
米勒效应是指：其输入输出之间的分布电容Cgs在反相放大的作用下，等效输入电容值放大的效应，米勒效应会形成米勒平台。
米勒效应的缺点：
开头的图一我们就能知道，在电感负载下，MOS管的开关过程由于米勒效应明显变长了，MOS管D极和S极重叠的时间越长，导通损耗就会越大。
而米勒电容因为MOS管的制造工艺，是必定会存在的，因此它无法做到完全消除。
但是我们可以通过减少栅极电阻Rg来减小米勒效应的影响。
可以看出，R1越小，gs充电越快，MOS管的开启越快。
然而，米勒效应当真一无是处吗？
我们知道任何事物都有两面性，米勒效应的存在必然如此。
我们可以利用米勒效应来实现电路缓启动的目的。
可以通过增加MOS管的栅极电阻，在MOS管的G-D极之间并联大型的电容，进行人为拉长米勒的台阶。
下图这个电路，便是增加了栅极电阻和G-D极之间的并联电容，增大了米勒台阶，让输出 的波形变成了一个三角脉冲的形式。
以上就是本期的全部内容
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