mos管ids计算公式

阎颖穆914如何保证驱动芯片的稳定供电 -
宦春使15939514553 ______ 两方面:1、要有稳定的电源 2、可靠的电源驱动 就可以

阎颖穆914MOS管的损耗如何计算 -
宦春使15939514553 ______ V DS *I D

阎颖穆914设计开关电源时,开关管的耐压(VDS)如何取值? -
宦春使15939514553 ______ 针对反激架构,MOS管的电压可以分成三个部分: Bulk电容电压+N*Vo+Vspike Bulk电容电压最大值,在没有PFC线路的情况下,等于1.414*Vin N为变压器的圈比,Vo为输出电压,这一部分为二次侧反射到一次侧的电压 Vspike为变压器的漏感与MOS管的Coss产生震荡所引起,这一部分与变压器的绕发有关,不太容易计算. MOS的耐压需要大于实际的电压,才不会有击穿的危险.

阎颖穆914MOS管DS间有寄生二极管,如何测试BVDSS
宦春使15939514553 ______ 不是好多mos有反向二极管,而是大部分都有.测BVdss,不管有没有二极管,测试都是一样的.ID=1mA , Vclamp=600V,就是Device GS short,Vd电压从0-600V 往上加,mos管DS有电压,就会有漏电流,只是电压低时,电流太小,pA级,...

阎颖穆914MOS管在截止区时,它的截止电流公式是什么? 求大婶助我..... -
宦春使15939514553 ______ 截止区的时候,就是相当于MOS管内部的导电沟道被抵消了 这个时候是没有电流的 只有少部分漏电流 具体的值参考MOS管手册提供的参数.

阎颖穆914MOS管的功耗计算方法?Mos管发热严重解决方法?MOS管选型? -
宦春使15939514553 ______ 手册中给出的通态电阻,是完全导通后的最小值.如果MOS管没有完全饱和导通,必须按实际漏极源极的电压和电流计算.额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率.9W的话,必须加足够的散热器.

阎颖穆914rce 和rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻,他们的计算公式均为...
宦春使15939514553 ______ 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...

阎颖穆914场效应管中N沟道增强性和耗尽型计算公式有区别吗? -
宦春使15939514553 ______ 场效应管按结构可分为结型场效应管(缩写为JFET)和绝缘栅场效应管(缩写为JGFET),从导电方式看,场效应管分为N型沟道型与P型沟道型.绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种,而JFET只有耗尽型.一、基本结构场效应管是利用...

阎颖穆914mos管给电容直接放电 -
宦春使15939514553 ______ 还是可行的. 电容储能 W=(1/2)CU² 有C=103p;U=15V 所以W=0.000001125焦耳. 可见能量很小. MOS管参数: Rds:需要查表了,每个型号的都不一样.15V的话估计随便一个N沟道的Vds都够用了可以. 估计关键的是Id.这么小的能量把上面的焦耳值带到功率公式去算一下就好了(因为有根号,所以不好输入.) 估计随便一个常用的贴片MOS就可以了,但是还是要确认参数哦! 注意:题目只是给103电容放电,如果有其他储能元件就不可以了.