mos+gram+泡泡

堵宁厘813深亚微米工艺条件下真实的mos晶体管主要有哪些二阶效应 -
上知坚19158932611 ______ 采用浅沟槽隔离代替了以前的LOCOS局部隔离. 外延双井工艺代替单井工艺. 逆向掺杂和环绕掺杂代替了均匀掺杂. 铜互联代替了铝线互联. 硅化物自对准结构. 对NMOS、PMOS分别采用N+,P+硅栅.

堵宁厘813请教关于MOS管Qg的问题 -
上知坚19158932611 ______ 不同的MOS的Qg是不一样的:MOS的G,S,D,在中间的条件下,得到右边的结果.

堵宁厘813mos管 集成电路 肖特基怎么区分 -
上知坚19158932611 ______ 1、看文字,从文字、特别是型号上能分辩, 2、看管脚,mos管3~4个脚,且较粗; 集成电路,脚数不限,但都比较细, 肖特基脚数2~3个圆柱形居多, 3、对于贴片封装的,看个头大小,mos管 集成电路 肖特基一般是从大到小加以区分, 不明情况下,一般不宜测量区分.

堵宁厘813为什么MOS管VDS和输入脉冲VGS波形是相反的? -
上知坚19158932611 ______ 就N沟道型的场效应管来说明,S极是输入和输出的公共端 G极为低电平时场效应管的D极和S极是不导通的,电源电压通过负载把电源电压加在D极上 G极为高电平时场效应管的D极和S极是导通的,电源电压加到负载上,这时D极上的电压很低绝大部分电源电压都加到负载上 所以:MOS管VDS和输入脉冲VGS波形是相反的

堵宁厘813p沟道的增强型mos管,d和s接电源,当g悬空,即g什么都不接时,该mos管会工作吗? -
上知坚19158932611 ______ 有可能工作,并且很容易烧坏,因为mos管是电压开启型管子,基本不需要电流的,直接在漏源极接电源在高频或者感扰较大的情况下,悬空的栅极很容易出现少量电荷低电压导通mos管,在这种状态下mos工作在非全导通状态,相当于电阻,发热比较严重,达到一定温度就冒烟或者炸管了.因此mos管的钳位电阻是很有必要的.

堵宁厘813这是一个用光耦驱动mos管,再通过MOS管驱动电磁阀的电路,这些元器件型号和值如何确定? -
上知坚19158932611 ______ 有mos管的开启电压参数吗?设参数为Ug,则要求 12xR4/(R2+R3+R4)=1.1Ug 由于以上电阻通过的电流不必太大,可以去K级电阻,如Ug=3V,(R2+R3+R4)可取20K,则R4=5.1K,R2=6.8K,R3=6.8K R5的数值和电磁阀的电流有关,电磁阀电流IdxR5在0.1Ug即可.

堵宁厘813请问MOS管,用来做开关用时,只需提供门极G和源极S的足够电压就行? 需要考虑门极和源极间电流大小吗? -
上知坚19158932611 ______ MOS管是电压控制的元件,它的栅极输入阻抗极大,几乎就没有电流经由栅极流向源极,也就是说Igs≈0.考虑栅极电流的情况,比较常见的只有一个,就是开关信号频率很高时,栅极的寄生电容高速充放电会产生较大的电流.

堵宁厘813mos如何管构成二极管 -
上知坚19158932611 ______ 对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET,漏极到源极之间有一个本体二极管,其特性是:电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流,耐压=场效应管耐压,方向N沟道的是源极为正、漏极为负,P沟道相反! 只要加适当的电...

堵宁厘813开关电源MOS的导通电流在设计之初,怎么确定自己MOS的峰值电流?(要有推到公式) -
上知坚19158932611 ______ 变压器初级线圈的电感量确定,工作频率确定.这样利用电感公式2πfl就可以了得到线圈在设计频率条件下的阻抗,有了阻抗也就决定了最大电流值.从而得到峰值电流.

堵宁厘813MOS管有哪些作用,工作原理是什么? -
上知坚19158932611 ______ 作用 目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10个左右,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了.由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压,所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近.其中在CPU与AGP插槽...