不过，这可不代表MOSFET就不会静电！那么，这静电到底从何而来？

静电放电：

是绝大多数器件、IC设计与制造的头号难题。

静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)，一般是人为产生的，在生产、组装、测试、存放以及搬运的过程中，静电会累积在人体、仪器或设备当中，然而元器件本身也会累积静电。

静电产生的方式通常分为四种：人体放电（HBM）、机器放电（MM）、元件充电（CDM）、电场感应（FIM），通常以人体放电（HBM）、机器放电这两种为主要测试模式。

HBM：业界对HBM的ESD标准(MIL- STD-883C method 3015.7，等效人体电容为100pF，等效人体电阻为1.5Kohm)

MM：机器移动产生的静电触碰芯片时由pin脚释放，ESD标准【（EIA/JESD22-A115-A），等效机器电阻为0(金属，且放电时间较短，在ms或者us之间），电容为100pF】。

由于等效电阻为0，因此电流很大，此外机器本身存在很多导线之间的耦合作用，电流会因此受到干扰进而变化。

CDM：器件带静电后接触一个接地的导体发生放电。

在同样的静电电压等级下，器件损伤程度：MM＞CDM＞HBM，产品规格书常见HBM、MM，电子器件标准为HBM接触2KV。

接以上陈述以后，知道MOS管为何要防静电吗？

我们知道，MOS管是一个ESD敏感器件，本身输入阻抗很高，其G-S之间的电容又很小，易受到外界电磁场或静电感应而带电。

MOSFET静电击穿有两种模式：

电压型：G极的薄氧化层发生击穿形成针孔，使G-S极/G-D之间短路；
功率型：金属化薄膜铝条被熔断，导致G极/S极开路。

绝大部分MOSFET很少暴露在容易产生ESD的环境里，但在部分应用里，MOSFET会专门在GS之间增加一个ESD保护器提高它的静电防护能力。

不过，现在大多数MOSFET都没那么容易击穿，尤其是大功率VMOS，一般都有二极管保护，并且其栅极电容较大，感应不出高压。有些CMOS器件内部增加了IO口保护，不过也不能用手直接接触CMOS器件的管脚，会导致可焊性变差。

静电放电

所形成的是短时的大电流，放电脉冲的时间常数一般远小于器件散热的时间常数。

当静电放电电流流经pn结时，会产生很大的瞬间功率密度，并形成局部过热，甚至超过材料本身的温度（硅的熔点1410℃），这将导致pn结短路，使器件失效。

功率密度越小，器件越不容易受到损坏。

相对其它器件，MOS管的ESD敏感度要高一点。但ESD具有随机性，就算产生ESD，也未必一定会把MOS管击穿。

解决方案

在存储和运输时，最好用金属容器或者导电材料包装，避免化纤物品；
组装、调试时，工具、仪表和工作台需做到良好接地，操作人员要避免穿着尼龙、化纤衣类导致静电干扰；
MOS管是电压驱动型，悬空的G极易受外部干扰让MOS导通，外部干扰信号对G-S结电容充电。G悬空是很危险的，容易造成爆管。让G极接个下拉电阻对地，外部干扰信号就不会直通了，一般这个栅极电阻可以在10-20K。

这个栅极电阻的作用之前也有提到过：

为MOS提供偏置电压
起到泄放电阻的作用

以上是本期的全部内容，感谢观看~

微碧VBsemi

（以上部分图片与资料来源于网络）

","gnid":"9aacddb2e5381441a","img_data":[{"flag":2,"img":[{"desc":"","height":"474","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01318d56ea4a642bc0.jpg","width":"768"},{"desc":"","height":"460","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01030702cafeb77c7a.jpg","width":"972"},{"desc":"","height":"438","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01e2961a3010b35f7c.jpg","width":"386"},{"desc":"","height":"658","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01e17a4b0d797dd388.jpg","width":"855"},{"desc":"","height":"611","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t012c7457dce77630f9.jpg","width":"1200"},{"desc":"","height":"710","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01c0a52b7bf25b6ab7.jpg","width":"1200"},{"desc":"","height":"926","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01991f4d3d1657fbf5.jpg","width":"1200"}]}],"original":0,"pat":"art_src_3,fts0,sts0","powerby":"pika","pub_time":1709640180000,"pure":"","rawurl":"http://zm.news.so.com/2c58b3aa503c52795c14c5b912dfc4f7","redirect":0,"rptid":"df5965001f6e0ffc","rss_ext":[],"s":"t","src":"VBsemi微碧半导体","tag":[{"clk":"kculture_1:cmos","k":"cmos","u":""}],"title":"MOSFET：又又又回南天！从哪里来的静电？

党秋胖1616MOS管是谁发明的! -
米卖伟18850321776 ______ MOS管是谁发明无法考证. mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体.MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区....

党秋胖1616大家好,请问在电焊机中提到的MOSFET和IGBT是什么意思?那种好? -
米卖伟18850321776 ______ IGBT是绝缘栅双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor),它是八十年代初诞生,九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件.IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身,既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动型,又具有...

（编辑：自媒体）