pmos晶体管噪声低

金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“浅沟槽隔离结构及其制作方法“，授权公告号CN107871706B，申请日期为2017年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法，包括：硅衬底、第一沟槽、第二沟槽、热氧化层、内衬层、填充层以及介质层，第一沟槽用以隔离PMOS晶体管，第二沟槽用以隔离NMOS晶体管，热氧化层形成于第一沟槽及第二沟槽的侧壁及底部，内衬层形成于第一沟槽的热氧化层的表面，且第一沟槽底部的内衬层被去除，以显露第一沟槽底部的热氧化层，填充层填充于第二沟槽内，介质层填充于第一沟槽中。本发明将浅沟槽隔离结构底部的内衬层去除，使得浅沟槽隔离结构底部不会有足够量的载流子聚集，避免晶体管衬底中的空穴聚集而导致的漏电。本发明可以减小PMOS晶体管之间的漏电流，并减小PMOS晶体管老化后维持电流的异常增加。

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卜米杰18197937775 ______ 哈哈有点意思,晶体管是没有声音的,但声音信号通过晶体管放大后可以用扬声器还原出声音.场效应管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管.

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钟庭贴3206为什么场效应晶体管内部噪音较小
卜米杰18197937775 ______ 场效应管是压控器件,工作时只有一种载流子, 晶体管是流控器件,工作时两种载流子都存在,反向载流子形成很大噪声

钟庭贴3206与晶体三极管相同,场效应晶体管也是电流控制元件 - 上学吧普法考试
卜米杰18197937775 ______ 方型场效应管场效应管属于电压控制元件,这一点类似于电子管的三极管,但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的,与双极型晶体管相比,场效应晶体管具有如下特点: (1)场效应管是电压控制器件,它通过UGS来控制ID;(2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大.(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;(5)场效应管的抗辐射能力强;(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低.