igbt是什么电子元件
财联社4月15日讯（记者 王碧微）“其实我们也不知道为什么突然说IGBT这么紧缺，感觉有点像炒作。”一位国际芯片大厂功率半导体专家向财联社记者这样感叹道。近日，不少消息称IGBT产业链缺货“愈演愈烈”“价格暴涨”甚至上演“抢货”，对此，士兰微(600460.SH)、扬杰电子(300373.SZ)等多家企业人士都向财联社记者表示，受新能源等下游带动IGBT需求的确很高，但是没有出现极端的涨价、抢货等。
\n实际上，记者采访的多位从业者都表示，和大多数电子元件产品一样，目前IGBT亦陷入“冰火两重天”。中低端的IGBT许多处于去库存阶段，而高端的大电流产品，需求仍高。转看国内入局企业，受访的多位产业链人士表示在产能已经不再受限的情况下，国产IGBT商的主要优势来源于降低约20%的成本；且在车规IGBT认证周期长且大部分市场已被英飞凌占据的情况下，光伏带给国产商们更多机会。
\n缺货基本解决 IGBT下游需求走向分化
\n“车、工控、光伏等新能源相关的IGBT需求还是很旺盛的。”士兰微证券部人士向记者表示，其价格都是和客户谈好的，一般不会轻易改变。所谓“抢货”大多发生在代理商的销售端，制造厂商直接将货给客户，并未感受到“抢货”氛围。但记者访问的代理商亦表示销售平稳，没有出现异常的抢货和涨价。
\n“IGBT整体销售情况不错，价格还是比较平稳，没有出现特别夸张的涨幅，也没有极端抢货行情。”Cinno Research半导体事业部总经理Elvis Hsu向财联社记者表示道。
\n此前，IGBT抢货、涨价的风声很大。在半导体需求不振的情况下，IGBT相关概念股在二级市场上普遍迎来上涨。从3月17日至4月7日，士兰微由34.96元/股涨约20%至41.36元/股、新洁能(605111.SH)由75.88元/股涨约17%至89.53元/股、扬杰科技由53.18元/股涨超10%至58.68元。
\n实际上，IGBT紧缺的论调起源于对于知名经销商富昌电子近期发布的《2023 Q1芯片市场行情报告》的交货周期数据的解读。
\n该报告显示，ST（意法半导体）、Microsemi（美高森美）、Infineon（英飞凌）、IXYS（艾赛斯）、Fairchild（仙童半导体）5大品牌的IGBT Q1与2022年Q4的交期基本维持一致，交期最长为54周。
\n一位产业链人士向记者表示，首先该报告单中头部海外大厂的IGBT产品以车规、工业为主，其次54周的交货时间虽然长，但这一交货时常并没有太过稀奇。
\n记者翻阅上述市场行情报告发现，以英飞凌为例，其分立器件中IGBT的Q1货期为39-50周，但同为分立器件的高压Mosfet的货期高达50-54周，汽车的MCU/MPU更是直接在2023年Q1显示紧缺。
\n某国际芯片大厂功率半导体专家向记者表示，从上半年来看，目前IGBT的下游需求分化明显。消费电子、家电用的中低端IGBT供过于求，650V、750V、1200V的中低端车用紧缺也已经缓解；高端、大电流的IGBT需求仍高，但主要来源不是车规，而是来自工业、光伏的模块。“光伏模块的缺口主要原因是供应的不多，目前只有英飞凌、安森美等少数海外大厂有能力供应”。
\n过去两年，新能源车市场爆发式增长，根据中汽协数据，我国新能源汽车销量从2020年的125万台增到2022年的689万台。在原本的车规IGBT供应有限的情况下，带来巨大的产能缺口，国内外厂商都忙于扩产、进军车规。然而今年，中汽协数据显示Q1我国新能源汽车产销累计完成165万辆和158.6万辆，同比分别增长27.7%和26.2%，增速放缓明显。
\n根据DIGITIMESResearch统计与分析，2023年，全球IGBT业者产能持续扩张，加上经济阴霾恐导致电动车市场增速走缓，其余IGBT相关应用中，仅新能源发电新增装机量动能明确，故2023年全球IGBT供需缺口将收窄至-2.5%，当前短缺现象逐渐迈入尾声。
\n“说买不到IGBT还有一个原因，其实很多头部厂商的中高端IGBT都被头部的企业买断了，所以很多小企业买不到就会喊缺。”上述功率半导体专家进一步补充道。
\n光伏或成国产厂商弯道超越机会
\n转看国内市场，尽管目前国产厂商们开始放量生产，但是由于起步较晚，高端IGBT主要的技术还是掌控在国外发展多年的主要厂商如英飞凌、三菱及安森美等手上。
\n据英飞凌数据统计,2021年度IGBT模块的全球市场份额排名中，全球前五大厂商占据67%的市场份额,其中英飞凌以33%的市占率占据领先地位。
\n“未来，目前国内的几个厂商主要竞争力在于光伏、工业，车规的认证期较长，且英飞凌的话语权还是比较高。”上述产业链人士向记者表示，国内的光伏IGBT主要集中在单管供应，斯达半导开始有模块供应，但还是刚刚开始。
\n根据前瞻产业研究院数据，中国的IGBT厂商多集中在中低压市场，如宏微科技（688711.SH）、比亚迪半导体（00285.HK）、士兰微、新洁能等厂商的IGBT产品均集中在1500V以下的IGBT市场；时代电气（688187.SH）和斯达半导（603290.SH）则在高压3300V及以上也有布局。
\n纵观国内几家主要IGBT供应商，光伏、工控已经成为其IGBT重点方向。华润微最新调研纪要显示，目前公司 IGBT下游应用结构为工控占比 63%，汽车占比 22%，消费类占比 15%；新洁能2022年年报显示，过去一年光伏已经占据了公司48%的下游市场，超过了汽车电子的31%；斯达半导则在2022年业绩预告中披露,在光伏发电和储能领域,公司的IGBT模块以及分立器件在光伏电站和储能系统中大批量装机并迅速上量,新能源行业收入占比从2022年上半年的47.37%进一步提升至54.30%。
\n“在产能不缺的情况下，国产厂商最大的优势就是成本，较海外厂商售价大概低20%左右。”上述功率半导体专家进一步表示道。
\n值得一提的是，市场普遍认为，未来IGBT的应用会主要集中光伏，因为车规IGBT很有可能被SiC取代，上述功率半导体专家表示“SiC目前已经是很多大厂的主攻方向，将来成本下去之后，性能拥有绝对优势。”
\nElvis则认为，IGBT市场车用功率半导体在汽车的应用是多方面的，未来IGBT与SiC并行的几率更大。
\n“不管是从600-1200伏或是1200-1700伏甚至3300伏以上，都需要有不同车轨级的IGBT或SiC。因此IGBT和SiC应用在汽车领域，互相分工合作，搭配适宜，在各自擅长的应用范围内即可。例如在目前的阶段，600-1200v内，以使用IGBT为主。1200-1700v,二者交互使用。1700v-3300v以上，使用SiC为主。”
\n（编辑 曹婧晨）
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薛瑶裴15390018409 ______ IGBT电路是负责变频器功率输出的部分. 通常包含IGBT模块和IGBT的触发电路和电流反馈元件.触发电路包含隔离变压器、整流二极管、光耦隔离芯片,根据使用IGBT模块型号,有些需使用配套的触发驱动芯片以及保护电路.
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薛瑶裴15390018409 ______ igbt属于电压控制型器件——电压控制电流.
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薛瑶裴15390018409 ______ IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物.它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G).特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A.由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz.IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化.由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点.
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