双扩散mosfet

姜侧丹2952什么是MOS场效应管? -
关喻逸13878318987 ______ 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现...

姜侧丹2952场效应管的使用注意事项 -
关喻逸13878318987 ______ MOS场效应管 即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型.其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达...

姜侧丹2952怎样抑制mos体二极管反向恢复 -
关喻逸13878318987 ______ ①体二极管的反向恢复特性分析 理解了反向恢复特性,对抑制体二极管反向恢复方法至关重要. 功率场效应管Power MOSFET的结构如下: 图中的结构可以看到,P基区和N-epi形成了一个PN结,即MOSFET的寄生体二极管. 电荷存储效应...

姜侧丹2952mosfet与igbt区别
关喻逸13878318987 ______ 从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型;从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流等问题;从产品来说,IGBT一般用在高压功率产品上,从600V到几千伏都有;MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右;

姜侧丹2952MOSFET和BJT 哪个更容易热击穿 -
关喻逸13878318987 ______ MOSFET是当今最主流的开关器件,价格较高,开关速度极快,从5W到数十万W的各类拓扑电源都有应用.相比于BJT耐冲击性好,故障率低.由于电导率负温度系数,MOSFET可扩展性很好.大功率应用时,MOSFET是最优选择.低压大电流领域是MOSFET的强项. BJT是最老的开关器件,远逊于MOSFET,只被用在最低端领域.高压BJT驱动麻烦,需使用低压大电流的电流源驱动,一般使用变压器驱动.在驱动不当或电压应力过大时容易发生二次击穿而失效. MOSFET是稳定性最好的器件,不容易损坏

姜侧丹2952mos如何管构成二极管 -
关喻逸13878318987 ______ 对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET,漏极到源极之间有一个本体二极管,其特性是:电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流,耐压=场效应管耐压,方向N沟道的是源极为正、漏极为负,P沟道相反! 只要加适当的电...

姜侧丹2952什么是开关型MOSFET -
关喻逸13878318987 ______ 什么是MOS场效应管 MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型.其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高...

姜侧丹2952MOSFET在电子电路上应用的优势有哪些呢?
关喻逸13878318987 ______ [编辑]MOSFET在电子电路上应用的优势MOSFET在1960年由贝尔实验室(BellLab.)的D.Kahng和MartinAtalla首次实现成功,这种组件的操作原理和1947年萧克利(WilliamShockley)等人发明的双载子接面晶体管(BipolarJunctionTransistor,BJT)截然不同,且因为制造成本低廉与使用面积较小、高集成度的优势,在大型集成电路(LargeScaleIntegratedCircuits,LSI)或是超大型集成电路(VeryLargeScaleIntegratedCircuits,VLSI)的领域里,重要性远超过BJT

姜侧丹2952绝缘栅双极晶体管是什么?IGBT又是什么?是什么的缩写 -
关喻逸13878318987 ______ 绝缘栅双极晶体管缩写IGBT IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化.由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的...

姜侧丹2952高压MOSFET是什么意思? -
关喻逸13878318987 ______ MOSFET是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”.它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件.所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安),用于功率输出级的器件.