高压mosfet的电压
IT之家 11 月 19 日消息，闻泰科技旗下基础半导体器件厂商 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合，推出 10 款全面优化的 25V 和 30V 器件。新款器件将领先的增强安全工作区（SOA）性能与超低的 RDS(on) 相结合，非常适合用于 12V 热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。
Nexperia（安世半导体）不断增强器件中关键 MOSFET （金属-氧化物半导体场效应晶体管）的性能，满足特定应用的要求，以打造领先的 ASFET（ASFET 是专门为用于某一应用而设计并优化的 MOSFET）。自 ASFET 推出以来，针对电池隔离（BMS）、直流电机控制、以太网供电（POE）和汽车安全气囊等应用的产品优化升级取得成功。
浪涌电流给热插拔应用带来了可靠性挑战，Nexperia（安世半导体）专门针对此类应用进行全面升级，设计了适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合，并增强了 SOA 性能。与之前的技术相比，PSMNR67-30YLE ASFET 的 SOA (12V @100mS) 性能提高到了 2.2 倍，同时 RDS(on)（最大值）低至 0.7mΩ。与未优化器件相比，新款器件不仅消除了 Spirito 效应（表示为 SOA 曲线的更高压区域中更为陡峭的斜向下曲线），还同时保持了整个电压和温度范围内的出色性能。
Nexperia（安世半导体）通过在 125℃ 下对新款器件进行完全表征，并提供高温下的 SOA 数据曲线，消除了热降额设计的必要性，从而为设计人员提供进一步支持。
IT之家获悉，8 款新产品（3 款 25V 和 5 款 30V）现已可选择 LFPAK56 或 LFPAK56E 封装，其中 RDS(on) 范围为 0.7mΩ 到 2mΩ，可适用于大多数热插拔和软启动应用。其他 2 款 25V 产品的 RDS(on) 更低，仅为 0.5mΩ，预计将于未来几个月内发布。
","force_purephv":"0","gnid":"962b9fda71d2cf40f","img_data":[{"flag":2,"img":[{"desc":"","height":"450","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01368e650b73082070.jpg","width":"770"}]}],"original":0,"pat":"art_src_1,fts0,sts0","powerby":"hbase","pub_time":1668846632000,"pure":"","rawurl":"http://zm.news.so.com/8e6b6d022cd1721f6ced8111faf674d8","redirect":0,"rptid":"4ee47a18ba340a68","s":"t","src":"IT之家","tag":[{"clk":"ktechnology_1:闻泰科技","k":"闻泰科技","u":""},{"clk":"ktechnology_1:半导体","k":"半导体","u":""}],"title":"安世半导体推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)
尉德便1340为什么有3.3V这个电压等级? -
林齿潘15769102243 ______ 1.这些电压的确定和器件的物理特性有关,更主要是为了统一规范.3.3V,是和集成电路的特性有关,标准的TTL电路的耐压在6V左右,因此就统一规定为5V.为了提高电路速度,硅片绝缘层厚度必需减少,随之而来的影响就是耐压的降低,因此又有了3.3V的标准.
尉德便1340mosfet与igbt区别 -
林齿潘15769102243 ______ 从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型;从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流等问题;从产品来说,IGBT一般用在高压功率产品上,从600V到几千伏都有;MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右;
尉德便1340MOSFET场效应管的三个接线柱怎么接啊? -
林齿潘15769102243 ______ 对于MOSFET型场效应管来说,他有三个电极,即栅极G(控制)、漏极D和源极S(被控制),对于N沟道的(就是箭头指向栅极的内个)D、G接高电平(+),S接低电平(-),D、S导通(VGS要大于夹断电压,约为1V左右,根据管子不同夹断电压也不同),电流方向为D-->S 一般G的电压(相对于S)不能大于30V,否则会击穿!(一般为10V左右)同时DS两端的耐压,和所能承受的电流也一个考虑到(例如2N60B IDS=2A VDS=600V)最后还有跨导(gm)
尉德便1340MOSFET(场效应管)高手进来,你们绝对懂的 -
林齿潘15769102243 ______ 从应用结构上看,由于MOSFET在可携式产品、LCD TV等消费性电子产品中的广泛应用,使得消费性电子成为MOSFET最大的应用市场;而凭借着在主机板中的大量应用,计算机领域居次,工业控制则是第三大应用领域.赛迪顾问预测,未来...
尉德便1340MOSFET驱动需要注意些什么? -
林齿潘15769102243 ______ MOSFET驱动一般需要注意这三点: 1、低压应用 当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be有0.7V左右的压降,导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V.这时候,我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的...
尉德便1340接被驱动的mosfet源极的电阻是多大的 -
林齿潘15769102243 ______ 这个可以大概估算出来,先从靠近MOSFET的电阻开始选择.看你MOSFET的参数,电压,输入电容,一般R5大概在10R-220R之间吧.很显然,R4+R5等于栅极驱动电阻,R4大约取100R-470R之间,R4太小了电流太大,三极管Q2过热.R3是根据R4来计算的,计算一下电流,放大位数,大约在1K-4K7左右吧.R2是Q1的负载电阻,并和R3为Q2提供基极电流,大概1K-4K7,和R3相等就好了,R1大概4K7-10K.完毕.
尉德便1340MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低? -
林齿潘15769102243 ______ MOS管PDF中都有一个Vth的参数,这个参数是MOS开通的门限电压,当MOS管GS两端电压低于此电压时为低,高于此电压时开始导通,当高于Vmiller(这个PDF中不一定有)电压后完全导通.
尉德便1340Multisim搭的MOSFET同步整流电路,有点问题,求大 -
林齿潘15769102243 ______ MOSFET的开关控制电压是v(gs).因此,V1应该加在Q1的g和s之间,而非g和地之间; Q2的d和g位置反了,V3不能加到Q2的g和s之间,故不能控制Q2的通、断;而且Q2内部的寄生二极管会将Q1导通的电源电压短路到地. V1与V3的通与断是交错的,所以需要为VMultisim搭的MOSFET同步整流电路,有点问题,求大
尉德便1340高压MOSFET是什么意思? -
林齿潘15769102243 ______ MOSFET是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”.它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件.所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安),用于功率输出级的器件.
尉德便1340mos管的最大持续电流是如何确定的? -
林齿潘15769102243 ______ MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值. 该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流. 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流. 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰...