mosfet关断电压
米勒电容：在栅极（G）和漏极（D）之间的一个寄生电容。
当MOSFET关断时，米勒电容的存在，会使MOS管的Vds产生一个电压从接近0（饱和压降）到母线的变化过程，这个电压变化率就是“dv/dt”，然而电容就是电压变化发生作用的器件，电压在电容两端变化，即产生电流“i”。
GS之间有一层绝缘体，也就是二氧化硅（SiO2），因此G-S之间就是高阻抗（几十到几百兆不等），一旦驱动异常，它可能会通过米勒电容的电流给G-S充电，小电流高阻抗可能对应着高电压，栅极电压被充电，当超过门槛电压“Vgs(th)”，就会导致MOSFET重新开通，这是十分危险的情况。
可以看这个反激电源拓扑的MOSFET驱动，它就是米勒电容电流通过驱动芯片内部下拉低阻回路进行释放，避免栅极被充高而误导通。
在这里我们就知道了，驱动芯片内部已经存在泄放下拉电阻，但如果驱动电阻Rg在以外情况下开路或者没有连接，那么下拉电阻（R8）就可以给米勒电容提供泄放路径，让MOS管G-S之间保持低阻抗，稳定安全状态。这就是下拉电阻的重要作用了。
下拉电阻还有另一个作用：预保护电阻
我们知道MOS管G-S是高阻抗，这也是为什么它是 ESD敏感器件的原因。它的高电压施加在门极不易泄放，累积过程会损坏G-S极之间那层二氧化硅，导致器件失效。
因此，下拉电阻还兼顾了功耗和实际泄放效果。一般这个电阻选值在中小功率电源中（0~500W）选择大概10K-20K，大功率电源选择4.7K~10K。
好了，本期内容就到这里！感谢大家的支持！
","gnid":"9fae8f93eb945dc39","img_data":[{"flag":2,"img":[{"desc":"","height":"906","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t0156b16cbfd5f119f0.jpg","width":"1184"},{"desc":"","height":"282","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01836e7fe01738f16e.jpg","width":"347"},{"desc":"","height":"364","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01d4de04a7adf679e4.jpg","width":"445"},{"desc":"","height":"1014","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01c26095a1971aed5c.jpg","width":"870"},{"desc":"","height":"1002","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t012e4fcda09c89ee6b.jpg","width":"882"}]}],"original":0,"pat":"art_src_3,fts0,sts0","powerby":"cache","pub_time":1706651040000,"pure":"","rawurl":"http://zm.news.so.com/ad7ad937f54dd4db3021b1a165b70081","redirect":0,"rptid":"7292844e61a8d367","rss_ext":[],"s":"t","src":"VBsemi微碧半导体","tag":[{"clk":"ktechnology_1:米勒","k":"米勒","u":""}],"title":"MOSFET栅极-源极的下拉电阻有什么作用？
聂玛所3351MOSFET场效应管的三个接线柱怎么接啊? -
温食泊13897275570 ______ 对于MOSFET型场效应管来说,他有三个电极,即栅极G(控制)、漏极D和源极S(被控制),对于N沟道的(就是箭头指向栅极的内个)D、G接高电平(+),S接低电平(-),D、S导通(VGS要大于夹断电压,约为1V左右,根据管子不同夹断电压也不同),电流方向为D-->S 一般G的电压(相对于S)不能大于30V,否则会击穿!(一般为10V左右)同时DS两端的耐压,和所能承受的电流也一个考虑到(例如2N60B IDS=2A VDS=600V)最后还有跨导(gm)
聂玛所3351继电器做开关和MOSFET做开关,两者有什么区别呢? -
温食泊13897275570 ______ 1、阻抗不同,为了实施开关动作,其耗电量不同. (1)MOSFET为电压控制的(voltage-controlled)组件,也就是为了能在漏极端有电流产生,必须在闸极与源极之间,提供额定的电压值,由于MOSFET的闸极端与源极端之间会被氧化硅层(...
聂玛所3351电力MOSFET的栅极绝缘,为电压控制器件,其栅极功率为零,说法正确吗?为什么?急啊1111 -
温食泊13897275570 ______ 栅极电流几乎为零,所以栅极功率也几乎为0,不严格的说栅极功率为零是正确的.
聂玛所3351请问IGBT管与MOS管的驱动触发条件有什么不同或相同? -
温食泊13897275570 ______ IGBT是达林顿结构,MOS不是.IGBT和MOS都需要一定的门槛电压(VGSth)来触发打开 但是由于IGBT的达林顿结构导致寄生电容偏大,故需要一定的门极驱动能力,MOS相对较小.相对的,IGBT的开关频率普遍较低(30~50K以下)而电流较大(可达1000A).MOSFET的开关频率可达500K,而RMS电流普遍较低(一般不超过100A)
聂玛所3351电力场效应管MOSFET是什么现象 -
温食泊13897275570 ______ 电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称电力MOSFET(Power MOSFET) 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor...
聂玛所3351请教一个24V的电源,入口端串个P行的MOSFET,是做什么用的? -
温食泊13897275570 ______ 这个P型(沟道)的MOSFET是起保护作用的.防止电源的输出端短路烧毁电源前端. 在24V电源输出正常的情况下,P型(沟道)的MOSFET的G-S端通过电阻分压获得足够高的启动电压(12V左右),MOSFET完全导通,相当于短路线,对电源的输出没有任何影响; 在24V电源输出端意外短路的情况下,P型(沟道)的MOSFET的G-S端电压接近于零,MOSFET处于关断状态,相当于开路状态,保护电源前端.
聂玛所3351MOSFET、IGBT、BJT各自适合于哪些应用? -
温食泊13897275570 ______ 相比于IGBT和BJT耐冲击性好,故障率低.由于电导率负温度系数,MOSFET可扩展性很好.大功率应用时,如成本不敏感,如军用、工业、高端消费产品,MOSFET是最优选择.低压大电流...
聂玛所3351可控硅是电流控制,还是电压控制元件? -
温食泊13897275570 ______ 可控硅、GTO是电流触发,其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断. MOSFET和IGBT是电压控制器件,类似于场效应管,可通过栅极电压控制其导通和关断,开关速度高于GTO,由于...