mosfet导通损耗

IT之家 11 月 7 日消息，近日，国星光电研究院推出以 TO-247-4L 为封装形式的 NSiC-KS 系列产品，可应用于移动储能、光伏逆变、新能源汽车充电桩等场景。

IT之家获悉，随着工业 4.0 时代及新能源汽车的快速普及，工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能的要求也不断提高，新型高频器件 SiC MOSFET 因其耐压高、导通电阻低、开通损耗小等优异特点，正在抢占新能源市场。

国星光电的封装技术通过科学系统的设计，采用带辅助源极管脚的 TO-247-4L 作为 NSiC-KS 系列产品的封装形式，并将之应用于 SiC MOSFET 上，取得分立器件在开关损耗、驱动设计等方面的新突破。

以国星光电第三代半导体 NSiC 系列 1200V 80mΩ 的 SiC MOSFET 产品为例，采用 NSiC-KS 封装的 SiC MOSFET，避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，实现了这两个回路的解耦，使得 NSiC-KS 封装的 SiC MOSFET 开关损耗、开通损耗均明显降低，开关频率更快，寄生电感与误开启风险更低。

为满足市场需求，国星光电 NSiC-KS SiC MOSFET 产品有多款型号选择。同时，基于公司具备完整的 SiC 分立器件生产线，国星光电可根据客户需要，提供高性能、高可靠性、高品质的产品技术解决方案。

东莎关1432MOSFET和IGBT是怎么选型的? -
封俘冒15083796632 ______ 首先需要确定最基本的参数,即最大耐压值,和能忍受的最大电流值,然后根据你设计的电路,来选择型号,另一方面MOSFET就需要注意Rdson,因为这个值直接影响到它的开关损耗,继而影响到温度,再影响到耐压值,所以选的Rdson要小.Rdson即导通时的电阻值.

东莎关1432开关电源中,开关管的功率损耗怎么计算?如MOS管,作为开关的晶体管....损耗包括哪几部分? -
封俘冒15083796632 ______ 比较复杂,开关管的损耗的计算也非常复杂 ,只有经验公式没有具体的数学公式,开关管的损耗一方面分为导通损耗,因为开关管的导通是有电阻的,而且此电阻受温度影响也特别大,所以不好计算,而在开关管损耗中占最大比重的确实交流损耗,就是上升的电压与下降的电流之间造成的交流损耗,因为开关管并不是理想器件,管子的导通和关闭都需要一定的时间,所以也就衍生出了以后的ZVS(零电压关断)与ZCS(零电流关断)的研究,这个楼主有兴趣可以看一下.

东莎关1432哪位高手能帮我简单讲一下MOSFET的作用?最好配图说明下~谢谢 -
封俘冒15083796632 ______ Mosfet 是一种场效应晶体管,一般用于高频开关.但是漏源极之间的电阻较大,所以导通的损耗很大.现在这个用的都比较少了,IGBT的应用的还是多点.

东莎关1432MOSFET、IGBT、BJT各自适合于哪些应用? -
封俘冒15083796632 ______ 相比于IGBT和BJT耐冲击性好,故障率低.由于电导率负温度系数,MOSFET可扩展性很好.大功率应用时,如成本不敏感,如军用、工业、高端消费产品,MOSFET是最优选择.低压大电流...

东莎关1432如何减少电源损耗实现电源效率最大化
封俘冒15083796632 ______ 这种优化可产生一个有趣的结果.当输出电流等于如下表达式时,效率将会最大化.需要注意的第一件事是,a1 项对效率达到最大时的电流不产生影响.这是由于它与损耗相关,而上述损耗又与诸如二极管结点的输出电流成比例关系.因此,...

东莎关1432IGBT的开关损耗怎么样才能减少 -
封俘冒15083796632 ______ 1、驱动电压最好能达到+15V.-9V 2、驱动输出能力要符合IGBT要求 3、要根据IGBT选择合适的栅极电阻Rg 4、最好能做ZVS,ZCS