mosfet导通电阻公式

蔚菲胜2074MOSFET主要参数什么意思? -
曹欣昌15034684494 ______ Mosfet参数含义说明 Features: Vds: DS击穿电压.当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on):DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻 Id: 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为:-20V~+20V Idm...

蔚菲胜2074二极管和mosfet在损耗方面有什么不同 -
曹欣昌15034684494 ______ MOSFET 全称是“金属氧化物半导体场效应管”(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗,在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件.由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流...

蔚菲胜2074电力场效应管的电力MOSFET的基本特性 -
曹欣昌15034684494 ______ (1)漏极电流ID和栅源间电压 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性. ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs. (2)MOSFET的漏极伏安特性(即输出特性): 截止区(对应于GTR的截止区) 饱和区...

蔚菲胜2074如何选择MOS管?
曹欣昌15034684494 ______ 您好! MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道.在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关.当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通.导通时,电流可经开关从漏极流向源极.漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电...

蔚菲胜2074场效应管的一个参数;漏源导通电阻要怎么计算和测量? -
曹欣昌15034684494 ______ 输出特性曲线上查得,另一法是饱和状态变化漏级负载电阻测Vsd变量除以变化电流得出的就是导通电阻.

蔚菲胜2074设计电路时如何选择器件的功率 -
曹欣昌15034684494 ______ 这个问题就看你制作什么电路了,一般小信号放大电路例如音频放大器电阻选择1/8W即可.因为电流是毫安级别的,电压是十几伏、几十伏级别的,功率消耗是几十毫瓦级别的.公式就是欧姆定律.二极管参数主要2个,反向耐压和正向电流,...

蔚菲胜2074MOSFET参数是什么意思? -
曹欣昌15034684494 ______[答案] 从顶部到底部的封装类型的电路,源极 - 漏极击穿电压,导通电阻的源极和漏极,其漏极电流25摄氏度,100摄氏度,栅极电荷(典型值)的漏电流,栅 - 漏极电荷(典型值),热敏电阻,功耗,后者三是无论是生产,无论是铅,和安装类型

蔚菲胜2074电源线的导通电阻是多少?测试电源线的导通电阻包含:0.5 0.75 1.0 1.5线径等分别是多少的? -
曹欣昌15034684494 ______[答案] 电源线规格应该以截面积表示,例如0.5 0.75 1.0 1.5,单位是平方毫米.准确计算它的电阻,应该以下列公式计算: R=p * L/ s. 式中,R--是电阻,单位是欧姆; p--是电阻率, L--是线长度,单位是米; s--是导线截面积,单位是平方毫米. 不过由于电源...

蔚菲胜2074谁可以解释一下下图MOSFET驱动电路,毕业设计要用到
曹欣昌15034684494 ______ <p></p> <p></p> <p> 左边的PWM5、PWM6是驱动脉冲发生电路,产生驱动mosfet所需要的波形,紧接着的是两个光耦,一般用于隔离控制部分和驱动部分,因为需要驱动的mosfet一般电压都比数字逻辑部分要高,通常的数字逻辑电路电压在5...