电力mosfet导通的条件是

原文标题：2021年全球和中国MOSFET现状及格局，国产化再度推进，SIC衬底渗透有望提升「图」

一、MOSFET产业概述

1、分类状况

功率半导体是控制电力设备电能变换和进行电路控制的核心半导体器件，可对电路进行整流、分流、变压、逆变、稳压、变频、功率控制等，其下游应用十分广泛，涵盖汽车、高铁为代表的交通工具，手机、基站为代表的通信设备，光伏、风电为代表的新能源设备，电视、空调为代表的消费产品等。MOSFET属于单极型功率半导体，通过1980年代发展起来的硅基MOSFET工作频率达到兆赫级，标志功率器件正式进入电子应用时代。

MOSFET产业定位

资料来源：公开资料整理

2、市场定位

功率半导体器件按集成类别主要可以分为功率IC、功率模组、功率分立器件三大类，功率IC主要用于将功率分立器件与外围驱动、控制、保护等电路集成，功率模组是将功率分立器件根据下游应用的特定需求封装组成特定的模块，而功率分立器件（IGBT、MOSFET等）是对电路特定进行变化的核心。从产品结构来看，电源管理IC占比61%，MOSFET占比20%，IGBT占比14%左右。

中国功率半导体产品结构占比情况

资料来源：Odima，华经产业研究院整理

IGBT和MOSET、BJT对比

资料来源：公开资料整理

二、MOSFET技术历程

MOSFET演进方向：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料三大方面的演进。未来沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；高压领域下，超级结MOSFET将替代更多传统的VDMOS；以SiC、GaN为主的第三代半导体在高温、高压、高功率和高频的领域将取代部分硅材料。

MOSFET技术迭代发展历程

资料来源：公开资料整理

三、MOSFET产业链简析

1、产业链简析

目前，MOSFET等半导体企业采用的经营模式主要可以分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，但资金投入较大，且容易在半导体下行周期中受制于原有产能，陷入被动局面。随着全球半导体产业分工的逐步细化，Fabless模式已成为芯片设计企业的主流经营模式之一，行业整体呈现IDM与Fabless共存的局面。

MOSFET产业链简析

资料来源：公开资料整理

2、上游端：SIC 渗透率有望提高

与相同功率等级的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET 导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。但由于SiC MOSFET 的价格相当昂贵，限制了它的广泛应用。碳化硅MOSFET主要用于1200V应用领域,取代目标是硅基IGBT。预计未来随着成本SIC MOSFET成本持续下降，用SiC MOSFET替代IGBT，能有效减少开关损耗，实现散热部件的小型化。另外，碳化硅MOSFET能够在高频条件下驱动，满足严苛应用场景需求。目前主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。

SIC MOSFET前道成本结构占比情况

资料来源：Yole，华经产业研究院整理

3、下游端

MOSFET可分为中低压和高压产品，其中高压MOSFET指电压在400V以上的MOSFET功率器件，包括平面型和超级结型。高压MOSFET工业级产品广泛应用于新能源汽车直流充电桩、新能源汽车车载充电机、5G基站电源及通信电源等, 消费级产品则主要应用在PC电源、适配器、TV电源板和手机快充等领域。随着新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴产业领域对高效能电子器件的需求增加，将给MOSFET提供巨大的市场机遇。

中国MOSFET下游应用结构占比情况

资料来源：公开资料整理

各类功率器件的适用范围

资料来源：英飞凌，华经产业研究院整理

四、MOSFET市场现状

1、市场规模

MOSFET器件具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、电源管理等中低压高频领域。随着下游需求增长，2020年全球MOSFET市场规模超80元。国内而言，根据Odima数据显示，2020年中国高压超级结MOSFET产品的市场规模为4.2亿美元，中低压MOSFET产品销售额为4.1亿美元。

2018-2021年全球功率MOSFET市场规模及预测

资料来源：公开资料整理

2、市场结构

目前MOSFET仍主要以中低压为主，高压仅占比15%左右，就趋势而言，预计高低压MOSFET将于未来逐渐分化，主要系中低压MOSFET技术相对成熟，市场准入门槛较低。伴随着终端市场的快速发展，下游需求的激增将不断推动新的市场参与者涌入中低压MOSFET领域，愈发激烈的市场竞争或将带来产品价格及盈利空间的缩减。

2020年中国MOSFET市场结构占比情况

资料来源：Odiam，华经产业研究院整理

五、MOSFET竞争格局

功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度还较大程度上依赖进口，国内企业市场占比较少，国产替代空间广阔。全球MOSFET市场仍由欧、美、日等海外巨头垄断，但份额呈现下降趋势，国产化趋势明显。CR5分别为59.8%，其中英飞凌为全球龙头，占比达24.4%，头部厂商格局基本稳定，华润微市场份额提升至20年同时士兰微替代美格纳进入全球市场规模前十，表面MOSFET国产化进程取得部分进展。

2020年全球MOSFET竞争格局占比情况

资料来源：Odima，华经产业研究院整理

六、高压MOSFET发展趋势

高压超级结细分市场国产化率较低，东微为国内龙头。高压超级结细分市场的主要份额被海外厂商占据，包括英飞凌、德州仪器、安森美、意法半导体等国际功率半导体厂商，中国厂商仍处于追赶阶段。据东微招股书，2019年新洁能占有全球高压超级结市场规模的1.7%，2020年东微半导/龙腾半导体分别占有3.8%/0.7%，国产替代空间广阔。

原文标题：2021年全球和中国MOSFET现状及格局，国产化再度推进，SIC衬底渗透有望提升「图」

华经产业研究院对中国MOSFET行业发展现状、行业上下游产业链、竞争格局及重点企业等进行了深入剖析，最大限度地降低企业投资风险与经营成本，提高企业竞争力；并运用多种数据分析技术，对行业发展趋势进行预测，以便企业能及时抢占市场先机；更多详细内容，请关注华经产业研究院出版的《2022-2027年中国MOSFET行业发展监测及投资战略研究报告》。

耿从温1347请问MOSfet管以及IGBT导通什么波形. -
庾急翠13171452571 ______ (1) 上图是IGBT的电流与电压随门极电压的变化波形.你说的门极电压虽然是方波,那是理想的,不理想的情况如上图所示.中间那一段就是IGBT的导通波形,MOSFET的波形也极为相似.(2)你这个二极管D是起续流作用,也就是IGBT开通的时候,电流回路是通过IGBT、L、负载.同时电容上也会充电,二极管D是截止的,此时Ud的电压约等于E(因为IGBT导通有电阻).当IGBT关断的时候,由于L的电流不会瞬间变为0,需要一个泄放的续流回路,这时候电流通路就是L、R、D,此时Ud约等于-0.7V,也就是二极管D的导通压降(不理想的情况下为0.7V).所以画出Ud的波形并不难,关键在于好好分析电路.

耿从温1347N沟道耗尽型MOSFET源栅漏极电压关系为什么时处于导通状态 -
庾急翠13171452571 ______ 例如,对于耗尽型n-MOSFET,在栅电压为0时即存在电子导电的沟道,就是线性导通状态;只有加上一定的栅极电压(负电压)后才能使沟道消失(整个沟道夹断),这时的栅电压称为”夹断电压”Vp,也就是耗尽型FET的阈值电压,当“源...

耿从温1347电力mosfet能否反向导通? -
庾急翠13171452571 ______ MOSFET的反向特性相当于一个二极管(衬底效应). 所以加上反向电压时它是会导通的.

耿从温1347mos管的电流走向 -
庾急翠13171452571 ______ 这位朋友:首先我肯定地说你这个电路图如果作为原理图的话,那准准是错的!因为没有人能够看懂它,也根本行不通!但是如果是个实际的接线图,或是叫作原件图那就是另外一回事了.它就是对的了.这不怪你,就应该怪厂家.厂家是经常...

耿从温1347请问MOSFET PMOS和NMOS开通后,是可以双向导通吗?不考虑体二极管. -
庾急翠13171452571 ______ 在不考虑体电阻的情况下,只要栅源电压大于开启电压,MOSFET是可以双向导通的,此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性,不过两个方向的电阻特性并不完全一致.

耿从温1347MOS管可以双向流通电流,反向时电流是流过沟道还是体二极管 -
庾急翠13171452571 ______ MOS管导通后,反向时主要是流过沟道,因为体二极管本身有比较大的二极管压降,约为0.7V,沟道相当于把体二极管给短路了.

耿从温1347Mos管 在开关电路中 是怎么工作的? -
庾急翠13171452571 ______ 简单地讲就是用栅极G电压的高低变化来控制源漏的导通和截止(通和断).

耿从温1347场效应管MOSFET上面的几行文字怎么看? -
庾急翠13171452571 ______ 这个管子最上面一行是型号,第二行前面是厂家标志,后面是生产批号(DATA CODE),第三行一般是厂家的内控码和产线电脑流水号.

耿从温1347谁可以解释一下下图MOSFET驱动电路,毕业设计要用到
庾急翠13171452571 ______ <p></p> <p></p> <p> 左边的PWM5、PWM6是驱动脉冲发生电路,产生驱动mosfet所需要的波形,紧接着的是两个光耦,一般用于隔离控制部分和驱动部分,因为需要驱动的mosfet一般电压都比数字逻辑部分要高,通常的数字逻辑电路电压在5...

耿从温1347igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影?igbt的栅极驱动条件对
庾急翠13171452571 ______ IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三... 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点. GTR饱和压降低,载...