multisim整流二极管位置

隗华曹1872关于Multisim 12.0 -
潘凯施18428223996 ______ 你看过所使用的整流桥中二极管的反向击穿电压吗?你用的似乎是3N254,它的反向最大可重复反向电压是100V,如果所用的输入电压太大,二极管就可能击穿.你可以下载一个3N254的参数表,如果是220V的交流输入,从表中你可以看到选择3N256比较合适.但是即使你换成3N256,现象依然.这是multisim内部模型的问题了,我看了一下,3N254、255、256...反向击穿电压都是100V,可以自己改改模型,将BV改得大一点.任何一种仿真软件都有上万个甚至几万个元件,别指望这些模型参数都正确.

隗华曹1872multisim仿真二极管电压为什么不是0.7v? -
潘凯施18428223996 ______ 0.7V是硅二极管正向压降的典型值,在教科书中常出现,是为了便 于计算. 其实硅材料的正向PN结压降多在0.5V左右,这可以用目前普遍使用的数字万用表“二极管档”来验证.数字万用表“二极管”档位可以测量二极管的正向压降,很方便,也很简单,你可以验证一下. 以下是今天拍摄的测量硅整流二极管1N4007的照片,正向压降显示“0.474”V.

隗华曹1872multisim怎样将二极管竖放 -
潘凯施18428223996 ______ 选中二极管,然后右击鼠标,选rotate,flip,之类的.这个软件有中文版的,楼主去下个中文的吧

隗华曹1872Multisim搭的MOSFET同步整流电路,有点问题,求大神指点 -
潘凯施18428223996 ______ 1. MOSFET的开关控制电压是v(gs).因此,V1应该加在Q1的g和s之间,而非g和地之间; 2. Q2的d和g位置反了,V3不能加到Q2的g和s之间,故不能控制Q2的通、断;而且Q2内部的寄生二极管会将Q1导通的电源电压短路到地. 3. V1与V3的通与断是交错的,所以需要为V3设置与V1脉冲宽度相同的延迟时间. 上面文字中的元件编号是按原图的.

隗华曹1872Multisim仿真,可二极管反向也导通了,是什么情况 -
潘凯施18428223996 ______ 上图,做包络检波,二极管后的RC的时间常数设定很重要,与调制信号频率有关,不是随意取的,所以,检波和整流是不一样的; 下图,如此验证二极管特性是错误的,需要如上图,得接上个R1才行;

隗华曹1872multisim求大神解答 -
潘凯施18428223996 ______ 首先你的全波整流部分连少了一条线,接着滑动变阻器的连线也连错了.

隗华曹1872multisim12中1N4001~4007、是不是普通的市售1N4001~4007? -
潘凯施18428223996 ______ multisim中1N4001~4007就是实际1N4001~4007的仿真模型.其后缀是不同封装的标志,不影响性能参数.1N4001~4007是1A、50~1000V的普通整流二极管(工作频率几kHz),FR508是5A、800V的快恢复二极管(工作频率上百kHz).

隗华曹1872Multisim模拟半波整流电压这么高? -
潘凯施18428223996 ______ 你好:——★1、交流电的峰值电压最大值为根号 2 倍(1.414 倍),220 V 交流电的最大值是: 220 V * 1.414 = 311 V.——★2、 220 V 的交流电压,经过整流、电解电容器器滤波后的直流电压,就是交流电压的最大值:311 V .半波整流、滤波,输出电压为 307.413 V ,是很正常的.

隗华曹1872multisim10.0中的某些元件找不到 -
潘凯施18428223996 ______ 不是所有的原件你都能找到的,你可以建立自己的原件,或在原来的原件参数上修改

隗华曹1872为什么用multisim做脉数的仿真的时候,电路是对的,但是发光二级管不亮 -
潘凯施18428223996 ______ multisim里LED的默认参数为5mA,1.66V.你串接1K电阻,高电平时二极管的电流为3.34mA,不符合LED发光条件.你可以改变LED的发光电流(<3.34mA,如3mA、2mA),或者降低电阻的阻值(<668欧姆附近,如600) 另外,你的输入为电流源(CLOCK_CURRENT),正常使用的话应当在电流源两端并联负载(1A*5欧姆=5V的脉冲),或者更换为电压源(CLOCK_VOLTAGE).其实,一般作为信号输入,都用的是信号发生器Function Generator,就是软件右面那竖排图标中的第二个.