sic+mosfet驱动电路
碳化硅SiC MOSFET因其具有宽禁带、高开关频率,高开关速度、热稳定性好、热导率高等优点,提高了电力电子变换器的性能，同时它也使得设备体积小型化和轻便化。
SiC MOSFET由于其出色的高温特性和高击穿电压，特别适用于高温高压应用，如电动汽车、电力转换、太阳能逆变器以及航空航天领域。SiC MOSFET可以在高温下稳定工作，且能够处理高电压电流。
SiC MOSFET 驱动电路的设计一般重点体现其驱动电压和快速性上。
（SiC MOSFET驱动电路图）
- 驱动电压：SiC MOSFET的门极驱动电压通常比Si MOSFET高，驱动电压一般为-5~+24V,然而，开启电压仅仅只有2.5V,只有电压达到18~20V这个区间才能使SiC MOSFET完全开通。
驱动电路需要提供足够的电压来确保SiC MOSFET能够充分导通和截止，因为较高的开通电压可以有效减小开通损耗。同时，驱动电路需要具备过压保护功能，为了避免过高的驱动电压对MOSFET器件造成损伤，导致寿命减短。
2. 快速性：一般来说，驱动电路需要采用高速驱动芯片，通过合理的设计，以减小电路中的电感和电容，从而提高响应速度。SiC MOSFET的开关速度非常快，在驱动电路中，需要用足够的响应速度来确保其快速导通和截止。
在这里顺便提下SiC MOSFET的关断情况：
开关关断时必须提供-5~-2V的负压加快关断速度,防止栅极振荡引起的误开通,增强抗扰能力。驱动回路要求寄生电感足够小以达到减少栅极振荡的作用。因此设计时选择+18V的正向驱动电压和-3V的反向关断电压。
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（部分资料源自网络整理）
","gnid":"9f4a874542c8742d4","img_data":[{"flag":2,"img":[{"desc":"","height":"469","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t010dc70071de08ad69.jpg","width":"789"}]}],"original":0,"pat":"art_src_3,fts0,sts0","powerby":"pika","pub_time":1697871420000,"pure":"","rawurl":"http://zm.news.so.com/d45fb509e5ed76dcf635d1a9dacc9285","redirect":0,"rptid":"d7dcbd57cb5a7b23","rss_ext":[],"s":"t","src":"VBsemi微碧半导体","tag":[{"clk":"ktechnology_1:航空航天","k":"航空航天","u":""}],"title":"SiC MOSFET驱动电路设计（驱动开关篇）
贲的谦3787为什么需要MOSFET驱动器? -
咸的虞19128722881 ______ 要驱动大容量MOSFET需要提供短时瞬间大电流,并在沟道开通后维持合适的栅源电压(10~15V),如果用普通控制芯片或单片机直接驱动,输出电流不够,输出电压也没有这么高,所以需要驱动器.有些控制芯片如UCC28C43自身集成了驱动器,可以直接驱动小容量MOSFET. MOSFET不需要电流,是因为沟道开通后,不需要像BJT那样必须维持一个基极电流Ib,但在沟道从关闭到到开通前,必须用瞬态大电流给MOSFET栅极电容充电.
贲的谦3787MOS管驱动电路与MOSFET作开关作用有什么区别?
咸的虞19128722881 ______ MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的,MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区,当在可变电阻区和夹断区内工作时,MOS管相当于一个电子开关. MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系,因为MOS管的控制比一般三极管麻烦一些,特别是关断的要求比较高,为了让MOS用起来更简单,就出现了驱动电路这类东西.MOS管当然不用驱动电路,也完全可以工作. 简单的说,驱动电路类似MOSFET的服务电路.
贲的谦3787请问mosfet管一定需要驱动电路吗?如果是的话该怎么找?谢谢! -
咸的虞19128722881 ______ mos管和三极管本身是驱动电路里比较重要的一部分,他们需要的是启动信号.在驱动电路当中,我们所用到他们的工作区是截止区和饱和区.拿提问的mos管来说,只需要给mos管门极高低电平的信号,让它能工作在截止和放大,那么驱动的前提条件就达到了.这里的信号可以是处理器给的,可以是某个芯片的pwm信号.你需要找的应该是mos管的驱动电路,这个在百度能搜到很多.如果我回答的不是你想要了解的,追问我.当然了,还有其它问题也可以追问.
贲的谦3787本人想做一个有关功率mosfet管的驱动电路时,请问需要用什么芯片(直插式)来产生1MHz的矩形波呢? -
咸的虞19128722881 ______ 就是要一个TTL的方波吗?可以使用有源晶振实现,一般的有源晶振都是方波输出的;另外,如果输出地不是方波,可以使用一个逻辑门电路做一下整形,就可以的到方波.比如说74HC08/74HC14都行.
贲的谦3787单片机如何控制mos管
咸的虞19128722881 ______ 如果是普通的开关的话(频率很低) 直接用个三极管就可以驱动 如果考虑两级电压的影响的话(EMC), 也可以使用光耦. 如果用在频率比较高的场合: 如:PWM ,SPWM 发生等, 则需使用专用的驱动芯片 高速光耦, 或者是图腾柱输出电路等. 关于这方面的资料 建议看看《开关电源设计》中的MOSFET的驱动电路一章.
贲的谦3787这个电路图MOS管是怎么驱动的 -
咸的虞19128722881 ______ 1. Q5为NMOS管,R12为限流电阻(或是偏置电阻),源漏之间的二极管为保护二极管. 2. 源极接地,电压为0,当栅极(即图中右眼驱动1)的电压大于开启电压Vth(一般为0.7V)时,就可在源漏之间形成导电沟道,产生电流. 3. 栅极未加...
贲的谦3787想用单片机输出的PWM直接驱动mosfet管,需要加光耦隔离吗 -
咸的虞19128722881 ______ 应该要的,一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高,因为S-D极电容比较大,电流小,一下子充不满,达不到驱动的电压的.所以一般要采用电流比较大的驱动源,如三极管,MOS驱动器件
贲的谦3787SiC和GaN,新兴功率器件如何选? -
咸的虞19128722881 ______ SiC肖特基二极管已经有10年以上历史,但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出现,GaN功率器件更是刚刚才在市场上出现.他们谁会成为未来新兴功率器件市场的主角?我们现在应该选用他们吗? 在这些新兴功率器件中,我们选取了...
贲的谦3787谁可以解释一下下图MOSFET驱动电路,毕业设计要用到
咸的虞19128722881 ______ <p></p> <p></p> <p> 左边的PWM5、PWM6是驱动脉冲发生电路,产生驱动mosfet所需要的波形,紧接着的是两个光耦,一般用于隔离控制部分和驱动部分,因为需要驱动的mosfet一般电压都比数字逻辑部分要高,通常的数字逻辑电路电压在5...