mos饱和区电流公式

岑谭宰1657mos晶体管的工作原理 -
从萍严13989892091 ______ 原发布者:王立伟24 第三章场效应管放大器3.1场效应管绝缘栅场效应管结型场效应管3.2场效应管放大电路效应管放大器的静态偏置效应管放大器的交流小信号模型效应管放大电路3.1场效应管BJT是一种电流控制元件(iB~iC),工作时,多数...

岑谭宰1657mosfet漏电流不饱和原因 -
从萍严13989892091 ______ VDS<=VGS,处于非饱和区,所以漏电流没饱和,另外即使是处于饱和区的mosfet也会由于沟道长度调制效应,漏电流也会随VDS增加而缓慢增加. 补充:你找一本半导体器件的书找到MOS器件看看他的沟道宽度调制效应就知道了.简单说就是随着VDS增大,沟道长度变短,沟道电阻将减小,而在有效沟道上的压降仍保持VDsat不变,所以沟道电流就会增大.这就是在饱和区中,漏电流随VDS增大而略有增大的原因.MOS器件还有很多二阶效应,如果楼主真的想全搞懂,还是借本半导体物理和器件的教材,推倒比较多.

岑谭宰1657好吧.关于MOS管.我已经彻底晕了!开关模式和线性模式? -
从萍严13989892091 ______ VGS=10V,ID是由VDS决定的,但不能超过器件规定的电流最大值,不然管子要烧掉.MOS管作为开关使用时,主要是工作在饱和区及截止区.若做放大用,主要是工作在线性区.你可以理解成拧水龙头的动作,如果你非常快速的拧水龙头开关,从水龙头流出的水流,要不就是没有,要不就是很大,这就是工作在饱和区及截止区;如果你慢慢的拧水龙头开关,那水龙头流出的水流,变化就比较＂有规律＂,这就是工作在线性区.以上愚见,仅供参考.

岑谭宰1657CMOS逻辑电路的MOS参数 -
从萍严13989892091 ______ 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...

岑谭宰1657驱动MOS管的驱动电流怎样计算? -
从萍严13989892091 ______ 1. Q5为NMOS管,R12为限流电阻(或是偏置电阻),源漏之间的二极管为保护二极管. 2. 源极接地,电压为0,当栅极(即图中右眼驱动1)的电压大于开启电压Vth(一般为0.7V)时,就可在源漏之间形成导电沟道,产生电流. 3. 栅极未加...

岑谭宰1657MOS开关电路计算 -
从萍严13989892091 ______ 仿真有时候是不准确的,按照现在的电路,MOS管是可以工作在开关状态的,只是有的MOS管开通电压比较高,5V可能开不了,所以就进入放大区了.楼主可以选开通电压低的MOS管.电路中的电阻值基本能用.

岑谭宰1657mos 管的问题 -
从萍严13989892091 ______ 如果你的目的是让LED发光,那么这里MOS的作用就是开关了,做开关导通的时候,MOS工作于线性区,并不是说一导通就是饱和;他有截止,线性,饱和3中状态.线性区的时候Vds应该很小,如果你现在在饱和区,说明Vds>Vgs-Vt,也许直接MOS管把你准备用来给LED的开启电压都用光了...当然了,还是得看整体电路.

岑谭宰1657【求教】MOS管开关电路. -
从萍严13989892091 ______ MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.

岑谭宰1657帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少? -
从萍严13989892091 ______ Q94MOS的开通电压是12V,当Q92管子导通时,Q94是截止的,当Q92截止时,加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压,割切R097的电阻很小,可以忽略,所以MOS的门极电压是大约12V.