mosfet导通电阻

首页 >> 正文

mosfet导通电阻

来源：baiyundou.net 日期：2024-09-22

SGT-MOSFET（屏蔽栅沟槽MOSFET）是一种创新的沟槽式功率MOSFET，基于传统沟槽式MOSFET（U-MOSFET）的改进。通过运用电荷平衡技术理论，SGT-MOSFET在传统功率MOSFET中引入额外的多晶硅场板进行电场调制，从而提升了器件的耐压能力和降低了导通电阻。

这种结构设计使得SGT-MOSFET具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性优越等显著特点。屏蔽栅在漂移区中的作用相当于体内场板，使得SGT-MOSFET在导通电阻R_(ON(SP))和品质因数(FOM=Ron*Qg)等方面具有显著优势，有效地提高了系统的能源利用效率。

随着汽车电动化、智能化和互联化趋势的迅猛发展，电动车的功率器件对于工作电流和电压有着更为严苛的要求。相对于传统的燃料汽车，电动车的崛起推动了汽车电子领域的结构性变革。这种变革不仅加速了汽车电子系统的创新，也推动了车规级SGT-MOSFET的发展，为汽车电子系统的性能提升和能源利用效率提供了重要支持。SGT-MOSFET的进步不仅将促进电动车技术的进步，同时也有望推动整个电动车产业链的不断发展壮大。

图：SGT MOSFET Structure

接下来，让我们来探讨微碧半导体推出的VBGL1102 MOS管。VBGL1102是一款高性能MOS场效应管，为各种功率电子应用提供了可靠的解决方案。其优异的导通和开关特性使其成为电源转换、驱动和控制领域的理想选择。VBGL1102结合了微碧VBsemi先进的技术和设计理念，为电力系统的效率和性能提升提供了重要支持。

VBGL1102 MOS管的引入将进一步拓展新能源领域的应用范围，为电动车、光伏发电和其他领域的电气系统带来更高效、更可靠的解决方案。其优越的性能和稳定性将有助于推动行业的发展，为用户提供更加可靠和高效的电力传输与转换方案。

以下是VBGL1102 SGT-MOSFET的参数：

Vds（漏极-源极电压）：100V
Rds(ON)（导通电阻）：0.002Ω（在Vgs为10V时）
最大电流：180A
Vgs（栅极-源极电压）：20V

产品优势

高性能：VBGL1102采用先进的技术，确保高效能力和可靠性，使其成为各种应用中的首选。

低导通电阻：低至0.002Ω的导通电阻降低了器件功耗，提高了系统效率。

宽电压范围：100V的Vds额定电压使得VBGL1102适用于多种高压应用场景，具有更广泛的适用性。

高电流承受能力：180A的最大电流可满足对高功率的需求，保证系统的可靠性。

稳定性能：20V的Vgs范围确保器件在各种控制条件下表现稳定，可靠。

封装优势：TO263-AB

1. 超群散热性能：散热效率极高，非常适合高功率应用场景。即便在高温环境下，其性能依然出色。

2. 承载能力强：适用于多种高功率元件，具备优秀的电流和功率处理能力，能稳定应对大负载。

3. 灵活安装：采用标准化的引脚设计和间距，使得焊接和连接过程变得简单，大幅简化了安装步骤，提高了生产效率。

4. 耐用性高：能确保MOSFET长期稳定运行，有效提升了设备的可靠性和使用寿命。

正是这些特性，使得TO263-AB封装的MOSFET在高功率应用中表现出色，为电子设备性能的提升和稳定运行提供了可靠保障。

VBGL1102 MOSFET适用于多种领域，包括但不限于：

电源管理：用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理应用中；
电机驱动：在各类电机驱动系统中提供高效能力支持；
汽车电子：适用于电动车辆控制系统、车载充电器等领域；
工业自动化：用于工业设备控制、机器人技术等领域。

VBsemi的VBGL1102 MOSFET以其卓越的性能和可靠性，为电子工程师和设计师提供了强大的工具，助力他们在不同领域实现创新。无论是在高压、高电流还是高效能力的应用场景下，VBGL1102都能展现出色的表现，成为您的理想之选。

","gnid":"93e2a1fc94669fb4d","img_data":[{"flag":2,"img":[{"desc":"","height":"591","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01ece5c6ddd68f3e30.jpg","width":"1004"},{"desc":"","height":"418","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t0136ace06c477517a3.jpg","width":"606"},{"desc":"","height":"414","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t0180729eb0e11e9938.jpg","width":"920"},{"desc":"","height":"1096","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01de0c1480309378f6.jpg","width":"1298"},{"desc":"","height":"448","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t017dccb36326319e00.jpg","width":"1200"},{"desc":"","height":"308","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t015ea063b682ebb735.jpg","width":"1200"},{"desc":"","height":"639","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01f9a9948e41b914b5.jpg","width":"996"},{"desc":"","height":"402","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t018c78aed97565af9f.jpg","width":"1064"},{"desc":"","height":"611","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01e98f0dcb30335e9e.jpg","width":"1200"},{"desc":"","height":"710","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t019225b80289d8891f.jpg","width":"1200"},{"desc":"","height":"926","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01daa7ebc20c9288d5.jpg","width":"1200"}]}],"original":0,"pat":"art_src_3,fts0,sts0","powerby":"pika","pub_time":1710331860000,"pure":"","rawurl":"http://zm.news.so.com/fb4c0b990b58cdf5e3bccddc930f013f","redirect":0,"rptid":"32569626f34a5300","rss_ext":[],"s":"t","src":"VBsemi微碧半导体","tag":[{"clk":"ktechnology_1:电动车","k":"电动车","u":""}],"title":"SGT MOSFET：创新的沟槽式功率MOSFET，具备更低的导通电阻

淳胆杭2194锂电保护电路的作用是什么? -
盛史典17258955897 ______ 锂电池具有体积小、能量密度高、无记忆效应、循环寿命高、高电压电池和自放电率低等优点,必须考虑充电、放电时的安全性,以防止特性劣化.针对锂电池的过充、过度放电、过电流及短路保护很重要,所以通常都会在电池包内设计保护...

淳胆杭2194电力场效应管的电力MOSFET的基本特性 -
盛史典17258955897 ______ (1)漏极电流ID和栅源间电压漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性. ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs. (2)MOSFET的漏极伏安特性(即输出特性): 截止区(对应于GTR的截止区) 饱和区...

淳胆杭2194IGBT的导通电阻一般有多大,比如40A,1200W的? -
盛史典17258955897 ______ IGBT输出是双极型的,导通电阻随负载电流变化而变化,一般不用导通电阻,用饱和压降来来表示,饱和压降在2.2-3.2v之间. 讨论导通电阻一般是指MOSFET管的.

淳胆杭2194垂直式功率MOSFET的作用是什么?
盛史典17258955897 ______ 垂直式功率MOSFET则多半用来做开关切换之用,取其导通电阻(turnonresistance)非常小的优点

淳胆杭2194如何选择正确的MOSFET
盛史典17258955897 ______ 第三步:确定热要求选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求.设计人员必须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况.建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效.在MOSFET的资...

淳胆杭2194什么是开关型MOSFET -
盛史典17258955897 ______ 什么是MOS场效应管 MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型.其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高...

淳胆杭2194谁可以解释一下下图MOSFET驱动电路,毕业设计要用到
盛史典17258955897 ______ 左边的PWM5、PWM6是驱动脉冲发生电路,产生驱动mosfet所需要的波形,紧接着的是两个光耦,一般用于隔离控制部分和驱动部分,因为需要驱动的mosfet一般电压都比数字逻辑部分要高,通常的数字逻辑电路电压在5...

淳胆杭2194电力场效应管MOSFET是什么现象 -
盛史典17258955897 ______ 电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称电力MOSFET(Power MOSFET) 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor...

（编辑：自媒体）