mosfet的导通条件

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mosfet的导通条件

来源：baiyundou.net 日期：2024-09-22

SGT-MOSFET（屏蔽栅沟槽MOSFET）是一种创新的沟槽式功率MOSFET，基于传统沟槽式MOSFET（U-MOSFET）的改进。通过运用电荷平衡技术理论，SGT-MOSFET在传统功率MOSFET中引入额外的多晶硅场板进行电场调制，从而提升了器件的耐压能力和降低了导通电阻。

这种结构设计使得SGT-MOSFET具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性优越等显著特点。屏蔽栅在漂移区中的作用相当于体内场板，使得SGT-MOSFET在导通电阻R_(ON(SP))和品质因数(FOM=Ron*Qg)等方面具有显著优势，有效地提高了系统的能源利用效率。

随着汽车电动化、智能化和互联化趋势的迅猛发展，电动车的功率器件对于工作电流和电压有着更为严苛的要求。相对于传统的燃料汽车，电动车的崛起推动了汽车电子领域的结构性变革。这种变革不仅加速了汽车电子系统的创新，也推动了车规级SGT-MOSFET的发展，为汽车电子系统的性能提升和能源利用效率提供了重要支持。SGT-MOSFET的进步不仅将促进电动车技术的进步，同时也有望推动整个电动车产业链的不断发展壮大。

图：SGT MOSFET Structure

接下来，让我们来探讨微碧半导体推出的VBGL1102 MOS管。VBGL1102是一款高性能MOS场效应管，为各种功率电子应用提供了可靠的解决方案。其优异的导通和开关特性使其成为电源转换、驱动和控制领域的理想选择。VBGL1102结合了微碧VBsemi先进的技术和设计理念，为电力系统的效率和性能提升提供了重要支持。

VBGL1102 MOS管的引入将进一步拓展新能源领域的应用范围，为电动车、光伏发电和其他领域的电气系统带来更高效、更可靠的解决方案。其优越的性能和稳定性将有助于推动行业的发展，为用户提供更加可靠和高效的电力传输与转换方案。

以下是VBGL1102 SGT-MOSFET的参数：

Vds（漏极-源极电压）：100V
Rds(ON)（导通电阻）：0.002Ω（在Vgs为10V时）
最大电流：180A
Vgs（栅极-源极电压）：20V

产品优势

高性能：VBGL1102采用先进的技术，确保高效能力和可靠性，使其成为各种应用中的首选。

低导通电阻：低至0.002Ω的导通电阻降低了器件功耗，提高了系统效率。

宽电压范围：100V的Vds额定电压使得VBGL1102适用于多种高压应用场景，具有更广泛的适用性。

高电流承受能力：180A的最大电流可满足对高功率的需求，保证系统的可靠性。

稳定性能：20V的Vgs范围确保器件在各种控制条件下表现稳定，可靠。

封装优势：TO263-AB

1. 超群散热性能：散热效率极高，非常适合高功率应用场景。即便在高温环境下，其性能依然出色。

2. 承载能力强：适用于多种高功率元件，具备优秀的电流和功率处理能力，能稳定应对大负载。

3. 灵活安装：采用标准化的引脚设计和间距，使得焊接和连接过程变得简单，大幅简化了安装步骤，提高了生产效率。

4. 耐用性高：能确保MOSFET长期稳定运行，有效提升了设备的可靠性和使用寿命。

正是这些特性，使得TO263-AB封装的MOSFET在高功率应用中表现出色，为电子设备性能的提升和稳定运行提供了可靠保障。

VBGL1102 MOSFET适用于多种领域，包括但不限于：

电源管理：用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理应用中；
电机驱动：在各类电机驱动系统中提供高效能力支持；
汽车电子：适用于电动车辆控制系统、车载充电器等领域；
工业自动化：用于工业设备控制、机器人技术等领域。

VBsemi的VBGL1102 MOSFET以其卓越的性能和可靠性，为电子工程师和设计师提供了强大的工具，助力他们在不同领域实现创新。无论是在高压、高电流还是高效能力的应用场景下，VBGL1102都能展现出色的表现，成为您的理想之选。

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（编辑：自媒体）