mosfet的阈值电压
微碧在网上看到这个问题:一般在介绍 MOS 管工作时，似乎都是说在栅级加一个电压，当栅级对衬底的电位差大于 VTH（阈值电压）时沟道形成，管子可以导通，而没有源极和漏极什么事。但为什么实际计算和使用时却是要以栅源电压 VGS（栅源电压）大于 VTH 为判断依据？
其实这个很好理解，我们可以从VGS和VTH的关系进行入手：
VTH 与 VGS 之间的关系可以通过 MOS 管的转移特性曲线来直观地表示。在 VGS 大于 VTH 时，MOS 管导通，电流可以通过；在 VGS 小于 VTH 时，MOS 管截止，电流几乎不会通过。因此，要实现 MOS 管的开关功能，需要确保 VGS 大于 VTH。
那么，提到栅级电压与衬底电压之差大于阈值电压（VTH），这样沟道才能形成，从而导致MOS管导通。但实际计算和使用时，为什么我们更关注的是栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系呢？
可以用一个简单的公式表示：VGS = VTH + Vds。
其中，Vds 是源极和漏极之间的电压。从这个公式可以看出，只要 Vds 足够大，即使 VGS 略小于 VTH，也可以使 MOS 管导通。因此，在实际应用中，我们通常关注 Vds 的大小，而不是 VGS 与 VTH 之间的差距。
我们更关注栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系，是因为这直接决定了MOS管的导通与截止状态。在MOS管导通时，栅源电压（VGS）大于阈值电压（VTH），沟道形成，电流可以通过器件。而在MOS管截止时，栅源电压（VGS）小于阈值电压（VTH），沟道被堵塞，电流无法通过。
栅级电压与衬底电压之差大于阈值电压（VTH）是保证MOS管正常工作的必要条件，但并不足够决定MOS管的导通与截止。栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系则直接影响MOS管的导通与截止。
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","gnid":"9866de22077ff3e82","img_data":[{"flag":2,"img":[{"desc":"","height":"1009","title":"","url":"https://p0.ssl.img.360kuai.com/t01fd34785d214e96b3.jpg","width":"980"}]}],"original":0,"pat":"art_src_3,fts0,sts0","powerby":"pika","pub_time":1696489980000,"pure":"","rawurl":"http://zm.news.so.com/523907c2db3508fab9d7ae664ffc34ef","redirect":0,"rptid":"c2e5c91a2c43f61b","rss_ext":[],"s":"t","src":"VBsemi微碧半导体","tag":[],"title":"在MOSFET导通实际应用中，为什么以栅源电压vgs大于vth为判断依据
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